Обновления
Хрущовки
Архитектура Румынии
Венецианское Биеннале
Столица Грац
Дом над водопадом
Защита зданий от атмосферных осадков
Краковские тенденции
Легендарный город Севастополь
Новый Париж Миттерана
Парадоксы Советской архитектуры
Реконструкция города Фрунзе
Реконструкция столицы Узбекистана
Софиевка - природа и искусство
Строительство по американски
Строительтво в Чикаго
Тектоника здания
Австрийская архитектура
Постмодернизм в Польше
Промышленное строительство
Строительство в Японии
Далее
|
Главная -> Теоретические основы электротехнологии п строим кривую Гю, + /оЮо=/И (для рис. 15.17. а l w =(H, Ось времени для этой кривой направлена вертикально вниз и проходит Чфез точки а. се в нижней части рисунка. Ток i не содержит постоянной составляющей, так как в цепи обмогеи нет источника постоянной эл.с. и выпрямителей. Прямая А-А рис 15.17, б является нулевой линией для кривой iwifimf). Ток i изменяегся относительно этой прямой так, что среднее значение его за пфиод от tofO яо tof=2n равно нулю. Рис. 15.17 Другими словами, проводим прямую А-А так, чтобы площадь была равна тиющади S. Расстояние, на которое удалена прямая А-Л от оси ордннат, равно Полезно сопоствмггъ выводы § 1S.17, сделанные в общей форме, с тени выво-вами, которые применительно к нелинейной индуктявносга следуют нэ рассмогре-ввя рис. 15.17, а, б. Сопоетавнмыми величинами являются R § 15.17 говорялось чт№ . . - а) путем изменения j;, можно влиять н:. величину амплитуд первой и высшй гармоникфункиину=/( 0:этотвыводпсдав.Ч Д8ется шнлроеннямн ..а рис. 1517,. о. е-амплитуды первой и высших гармоник функции ia,i=Hol) вавасят от/,ш, (чем больше / Шо, тем больше амплитуда гррвой гармоники тока i); б) уо зависит ие только от х но н ст иэ построеннй рис. 15.17. и, б следует, что 1 зависит ве только от Ф, в) прн наличии постоянной составляющ-----------. = ( 0 появлянясв четные гармоники, [Из рис. 15.17, б следует, что при е функция ж в кривой у ----г------ .------------б следует, что при наличии й Фд в составе магкятного потока Ф в кривой 1И11=/( /) i четные rapuoHHKH-кривая twi=H<>>l) несимме1рнчиа отвоснтельио прямой А-А.] Запишем потоки через анлуЕщт и сечения: (15.23) (15.24) где -амплитуда переменной составляющей индукции; В, -посто-. янная составляющая индукции. Из формул (15.22) н (15.23) следует, что B , = Ui(i>WiS). (15.25) Если магнитную индукцию измерять в Гс, 5-в см; (/ заменить на ( 2. где С/-действуюииее значение напряжения на обмотке i. то Vb-W (/-№ , =2nMS i.UfwS- Формула (15.25) дает возможность найти амплггуду перемашой составлякчцей магнитной индукции по амплитуде синусоидального напряжения частоте /, числу витков Wi и сечению S. По закону полного тока, произведение напряженности поля И на длину д)едней магнитной линии / должно равняться алгебраической сумме м, д. с: m=iWi + I Wa. (15.27) Так как ток / содержит первую и высшие гармоники, то уравнение (15.27) распадается на ряд, уравнений: на уравнение для постоянных составляющих, ив уравнения для первой гармоники, второй гармоники и т. д Уравнение для постоянных составляющих = (15.28) где ф-постоянная составляющая напряженности поля. Пфемщиплй ток i содержит первую, вторую и другие вшпие гармоники, но постоянной составляющ ие содержит, так как в цепи обмотки ш, нет источника постоянной э.д.с. и вшфямителей. Уравнение для первой гармоники lyw,=HyJ, (15.29) где -амплитуда пфвой гармоники тока I; Я -амплитуда пфвой гармоники йапряженносш поля. Аналогично, {гш = аш1- (15.30) Из (15.28)-(15.29) следует, что Ho = loWo/l. (15.31) HiIvwjl, (15.32) Нш = !т1 (15.33) и т. д. Формула (15.31) дает возможность определить постоянную состав-лякмцую напряженности поля На чфез постоянную составляющую тока Iff. Формула (15.32) позволяет найти Я, , через и т. д. § 15.25. Вольт-амперные характеристики уфавляйжЛ i индуктивности по пфвым гарм Под в. а. X. управляаюй нелинйной нцдуктнвности по первым гармоникам будем понимать зависимость дейсгаукщего значения пшой гармонию* першашота напряжения Uy на обмотке нелинейчой индуктивности от. деёс1ву >-щего значения первой гармоники перй нжях* тока 1 при иосгояннсжа токе, /р, взятом в качестве параметра. Как уже говорилось в § 15.21, в а. х. нелинейной индуктивности можно получить либо опытным путш с помощью схем рис. 15,14, а, либо расчетным пугш. Рассмотрим расчетный, путь, оснсшанный на использовании обоб-нданйых характеристик, о чел говорилось в § 15.23. Примем что зависимость мду мгновенным значением напвнже! нитного поля Н я мгновенным значением магнитной индукции Ё j гапервеияиееки синусом: ft=a sh BS, (15.34J В <15) Н 1 а im/2a и параметр у !а.-\ Иа формулы ()5.Г- йает ту же роль, что i шйлогяи между (15.34) нидуктНБНости но пер гиками ряс. 15Ле, б. , в (LS.1), а В-ту же, чта ж i (15,1) ясно, ч - ч гармоникам будут полностью совпали заменить на рВ , йя,/2а - слеадет, ч Кроме того, иэ (15.32) f рА2- формулы 5.31) (15.35) (15.35) (15,37> Таким образом, для перекода от семейсша криньк в беэразмераи единица рВ л=/(1т/2а) прн параметре Шо. к семейству кривых (/,=/(/0 при параметре Г иуи(ио масштаб по оси орданит изменить в (v)WiS)/iV раз, масштаб по оси абсцисс-в (и/>)/и11 раз и знаяения параметра-в aljwa раз,. Лрим) 151. Управляемая нелинейная индуктивность рис. 15.16 имеет сле-дуящие данные: 5=2.2 сМ; /=25 см; ш=250; И1=1775, Аналитическое выражение кривей намагничивания Д=0,71 sli5,75 В- Воспользовавпргсь кривыми Ржя.=(йт/2а) прн параметре y fa (см, рис. 15.15, б), построить для нее амейсгво в. а. к, по первым гармоникам Ui = = HIi) при параметре 1 . Решение. Подсчитаем кс т для перехода от gj:. 314-250.2.2-10-* 5,75. уг Таким образом, при переходе от рж к наяряжению U масштаб по нал на рис. I5ul5,.d дояжен быть увеличен в 2,13 раз . Определим щк для пехода от 11±2а к действующему значению перш гармоники, х ей K?/wi=0,7l - 0.25,(2/250= ШЛ ... . ------ -------- ..о жи -вйсцнсс должшг впъ ивмнюн вЗО-лиа. Коэффицнвнт.Я№я иода ет /а ж теку / =0,71 . .25/1775= 10- . Семейство в. а, х. изображено на рнс. 15.18. В литературе, посвященной электрическим цепям < ностями, используют термин индуктивное ссярошвдия ности по первой гармонике. нелинейными шиуктив-е нелинейной нндуктив- м ло первой харш (ервой гармоники напряжения иа зажимах л й ицш-ганвности, включетной в цепь переменного тока, к действующему значению aeipaca гармоника тока If, протекающего через эту обмотку; где X -функиня напряжения и тока намагничиваная /(,. Изменение Xi в функции от fi при /o=coiist м X, в функции от /в при f,=const можно нрознзшзвр{а1ъ, осяюдьао-ваяшись кр!вш1и фис. 15.1. Так, если -JifBiMiffTb J/i--=8 fi. то при /о=0. /1=0,01 А н, ( Xi=e,S2/0i©l=e52 Юм. При А X,. = 10ГОм , При /о==0,015 А Xi=66,5 Ом. Таким ti6f soM, взменя) 152. 0<ютка (щ управ-прнмера Рис. 15.18 До=50 Ом. сосгавлноп чена к свнусондвльнону напря-f=12.2 В (=50 Гц). Обмотка ной 9. д. с. Efl=l В. /biTHMJc Efl=l В. Ажтявиое амплгауду фариуле (1S.25). * 12.2 1-2.2.10-* управления и, подклв Параметр HJ = 141,5/0,71=: /e=£o/R(i=l7S0=0iD2 А. ряженности поля Д =/вИ1 /(=141Й А/м. DO. По формуле (15.17), fi ==.*,324 Т. .§ 15.26. nqtBbdi гари о можжиЕяшсать г Пуст лическим ашуе(ив: u=tt dip?. где явстомная состввлгаоная заряда; С - ряда. При этом напряжение на еккостн bmi также первую в высшие гермоивкн. Формулы (J5.1 праЬпн-(15,39) гула первой тярмоники яющ?ю t/p, )tlB.I5) исжно рас- npocTpiBH-n. вз нелннейвую мкость, есЛн гаиекип. № вз Vim ив VtM яа е , Xfl на е . В соответстви : с этим постоянная сосгавляюшаи взнряжения Перная гармоника нэнряжеиня на емкости разна 2achpQa-/-iOPQ >]sincot Ток через емкость равен dg/dl. Следовательно, нервая гармоника тока через емкость iL 3 sinc 0=<oQ co f. Ее амплитуда <oQ =PQ , . * даВствуюшее значение в /2 раз кеньше: (15.41) Под в. а. x. управляемой нелинейноВ емкости по первым .гармоникам будем повимиь завнсимосп. действующего значении первой гармоники тока через ешюсгь /, от действующего значения первой гармоники напряжения Ui пря параметре Ua- На основаини записанного соотеетсгеня между fo и у, й и Vi и т. д. можно утверждать, что семейство кривых PQ =/(LW2a) ри параметре /а полностью повторяет семействй кривых х==Цу1 12а,) при параметре у,!а, изображенное на рис. 15.15,6. Для перекода от семейства крввых p(3 =;(f, /2a) к сшейству в. а. х. равляемон нелинейной емкости по первым гармонвкам следует учесть формулу J.4I) И то, что действующее значение первой гармоники напряжения ие емкости Другими словами, для перехода от семейства кривых PQm=/(t/in/2(i) при вараметре Utfa к семейстну кривых /,=/(t/J прн napwerpe иеобхоавмо масштаб по оси ординат нэиенить в /(pV2) раз, ио осн абсцисс-в СЕ 2 раз и параметр-в а раз. Подсбяо тому, как для нелинейной индуктивностн вводят понятие индуктивного сстрспквлушя но первой гармонике (см. § 15.2,5). для ие-линейвой емкости вводят понятие об еяюхтном сопротшяеигш по перной гармонике: Aj=;fi i, где f-действующее значение первой lepMoHHKH напряжении Ji~ действующее значение первой гармоники тока через ьелинейиую -функция L § 15.27. Осиовные сведший о(Г устройстве транзистора. Транзистор представляет собой трехсвдйную структуру р-п-р- нли л-р-л-типа. . Схематически структура р-п-р-тнпа пояснена на рис. 15.19, о, где зна- . ком плюс в р-области обозначены носители положительных зарядов, ] знаком минус в л-области-носители отрицательных зарядов. (Эба пе- реходных слоя между р- и -областями обладают односторонней про-: водимостью. Ток через каждый из этих слоев может проходить практически в том случае, если потенциал р-областп выше потенциала п-области. У транзистора имеется три вывода, В транзисторе р-л-р-типа пер-, вый вывод -от пфвой р-области. его называют коллектором, втс>о*В вывод -от второй р-областн называют эмшплкром, третий вывод-от л-сбласги называют базой. На алектрических схемах транзистор р-л-р-тнпа изображают, ктж показано на рте. 15.19.6, а транзисторы л-р-л-типа в соотвегствнн с рнс. 15.19, е. трШр-аШет Вющяр-Шасть \f п в I § 15.28. Три осиовньи способа включения транзисторов в схему Различают три основных способа включения триодов в схему в зависимости от того, какой из элешроцш транзистора является общим для управляющей н управляемой цепей. На рис. 15.20, а изсйражена схема с общей базой, на рис. 15.20, б -схема с общим эмиттером и ва рнс. 15.20, в-схема с (Збщим коллектскм. Во всех схплах £ -источник э. д. с. в цепн нагрузки; Е,- источник S. д. с. в цепи управления. Для всех схем, в которых используют транзисторы типа р-л-р, полярность нсточниксе э. д. с, должна быть такой, чтобы коллектор имел отрицательный, а эмиттер положительный потенциал по отношению к базе. § 15.29. Принцип работы транзистора в качестве управляемого сопротивления. Рассмотрим тфинцип работы транзистора р-л-р-типа в схеме с общей базой (рис. 15.20, о). Вследствие диффузии в пере-*однш слое между эмиттером и базой и между базой и коллектором имеются объемные заряды (на рис. 15.19, а не показаны). В р-области объемные заряды отрицательны, а в п-области положительны.
|