дящих в них иядуктивностей и емкостей будут связаны с рабочей частотой f соотношением

4n2fLC=l, (4.1)

где L - индуктивность, гн; С - емкость, ф, и f - частота, гц.

Бели параллельные элементы емкости (рис. 4.4а) или индуктивности (рис. 4.46) сделать переменными то

HI-r-ll-

Рис. 4.4

схемы окажутся пригодными для работы в диапазоне частот.

Анализ рассмотренных схем показывает, что при ловйи настройки элементов устройства в резонанс напряжения (Jm и f7jv на его выходных зажимах оказы я-ются связанными соотношением -

4 \

М 2)

где Q - добротность примененных катушек {Q = <s>L ).

Таким образо.м, при потерях в элементах HCKy;:TBftH-ной линии, всегда имеющихся на практике, ее симметрирующие свойства несколько нарушаются. Выраже::1е для кпд симметрирующих устройств, собранных л.- .е-ме рис. 4.4, следующее:

; 4L/C - R\ Х\ т]=1---L . И i>

Q 2/?д yrjc

Двухзвенные РСУ, как и /-колено, трансформируют (.01Т1ютивле,ние нагрузки в 4 раза. Конструктивно они ({бсколько сложны, гак как требуют сопряжения двух органов настройки.

Вместо двухзвенвых РСУ можно применить одно-звенные (рис. 4.5). Однако яля них условия симметрии будут несколько иными.

6 М

Рис. 4.5

Для устройства с индуктивными плечами (рис. 4.5а) емкость конденсагора переменной емкости должна удовлетворять равенству

2п fL

(4.4)

а для РСУ с емкостными плечами индуктивность должна равняться

(4.5)

rafe каки прежде. L измеряется в генри, С - в фара-ДЕ L а / - в герцах.

Входное сопротивление однозвен ых РСУ олределя-?к f формулой

(4.6)

Z =

4 7- i I 2C/L Za

дЬ знак + берегся для схемы с емкостными плеча-via (рис. 4.56), а знак - - для схе.мы с индуктивны-Щ плечами (ри:. 4.5а) Из ф-лы (4.6) видно, что входное сопротивление РСУ рис. 4.5 сильно зависит от соотношения его элементов L и С, которое в диапазояе ча-лс г будет меняться. В этом заключается основной недостаток однозвенных РСУ. Однако он в значительной -генени окупается простотой конструкции.

Величина кпд для однозвенных схем с индуктивн1 ми плечами определяется формулой

1

1 Ф Rn/RA [ 1 У1 С]2Гу + (Rymif]

а для схем с емкостными плечами

Из приведенных формул видно, что кпд симметрирующего устройства тем выше, чем больше величина Y 2LIC и чем меньше сопротивление потерь Уме;.о-шение активного сопротивления антенны приводит к уменьшению кпд.

При изготовлении однозвенных РСУ чаще предпо i-тают схему рис. 4.5а, поскольку изготовление переменной емкости менее сложно, чем переменной индужтпв-ности. При конструировании устройств с параллельн:. -ми емкостными элементами настройки возникает воп;Лс о необходимости установки экрана между последов i-тельными катушками для устранения взаимоиндукции. Однако взаимоиндукция только увеличивает самопн дукцию элементов плеч, но не нарушает работы устрс.1-ства, поэтому экран не нужен. Расчеты показывают, ч о условие симметрии для однозвенного устройства с и дуктивными плечами в случае взаимоиндукции меж ними М приобретает вид

с---.

2я2/2(1 М)

Для двухзвенных РСУ с индуктивными плеча. наличие взаимной индукции между катушками отдел ного звена также не изменяет условий симметрии.

С целью обеспечения работы во всех любительск кв диапазонах в конструкции РСУ должно быть пред;, мотрено переключение катушек в соответствии с npni-денными выше расчетными формулами. При этом \ ройство может быть отрегулировано таким образ, что переход одного диапазона на другой потреб} лишь простого поворота переключателя и, возможн лишь небольшой подстройки. Переключатель целесоо