Главная ->  Кружки радиолюбителей 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 [ 15 ] 16



ХИМИЧЕСКИЕ ИСТОЧНИКИ ТОКА

крышка

Чашка

никель-кадмиевые аккумуляторы Лрижина

Герметизируацйя прокладка.

jtsjw Втрицвте/гтый у электрод

-Ш - Сепаратор А0,25


Д-0.1

д-0,06


Ралотительный Электр

НикелеШ сетка

Положительные электроды

Крышка Выбод

7Д0,1

т-0,2 ЦНК-0.5 ЦНК-0,85

16 1.5

Р££Р1

тдкга

20 40

ВО 80 100 Заряд, % к емкости




БУМАЖНЫЕ И ПЛЕНОЧНЫЕ КОНДЕНСАТОРЫ

Пленотт (открытый) Диэлектрик


Пайка

ZkTST чолиндри ческих корпусах Эпоксидный

отк диэлектрик Проклодка ly--


UlauSa

Лепесток

TpySevm

в... \ Корпус коя-

оьтасекц/и ~ \ денсатора

Лепесток бусинка.

обкладки


Вывод Металлическая Р

врубка


Корпус

Вывод

Диэлектрик бусинка fpy6o-/Ka

Лайка

Керамический Обкладки

изолятор BFxs-/-.

Пайка .

Обкладки Втулка



fSS прямоугольном корпусе

Вывод

iemaonuWKOff трубка

Диэлектрик


Вывод

Металлическая трубка


Секция конденсатора




КЕРАМИЧЕСКИЕ КОНДЕНСАТОРЫ ПОСТОЯННОЙ ЕМКОСТИ

Проболочный бывод I Эмалевое покрытие

Дисковые конденсаторы

КД-1. КД2,КДС дду

Опорный КД0-},КД0-2


Обкладки

Керамическая пластина


Пайка Наружная I обкладка

Трудчатые конденсаторы Эмалевое Опорный КО-1 КО-2

покоытие кт-ККТ-2 Ш

- - т

Проходной КТП

Ч У\ Внутренняя I \ обкладка Керамическая трубка Проволочный вывод




Литой керамический блок


Прорезь с кладкой

Литой секционный конденсатор -

Зависимость емкости конденсаторов от температуры

Проволочный вьгвед

Пайка Эмалевое покрытие

Зависимость емкости конденсаторов


АСч.\ С *

-hO -1

пзз-

0 1

5 8L


М750



ПОСТОЯННЫЕ РЕЗИСТОРЫ ШИРОКОГО ПРИМЕНЕНИЯ

М еталлопленочные, окиснопленочные и углеродистые пленочные резисторы

Эмалевое Шопроводящоя Латунный покрытие пленка колпачок

Резисторы интегральной гибридной микросхемы


Гокопроводящие контакты

Керамическая трубка 6-Ч5

Проволочный вывод



Ленточный латунный вывод

. -f ->:=J моии

Провод высокого

удельного . сопротивления \

Керамическая У\ трубка- \ . , Керамический \1/

стержень /[jC

CmeKnD3Moneeoei2\ покрытие \

Подложка

Проволочные эмалированные резисторы

0-220


иО-770

Спиральная токопроводящая пленка

Обьемный композиционный резистор .Эмалевое покрытие

- График снижения

предельно-допустимой Г

мощности рассеяния i

резисторов широкого v9 применения


Подвижный хомутик

пэ,пэв X

6-37

Токопроведящий стержень .

Стеклокерами ческоя оболочка


О 20 W 60 80 100 120 ш leVc

окр.ср




ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ и БЛОКИ



Slnp.n переход

Шстрщия диода Констртоя диода малой мощооти. средней мощности.

ги ПроВолочныЗ

ц еыбод

-1 Металлическая шруШСкобар)

Стеклянный изолятор

выпрямленный блок ХЦоющшв) и его схема

Кристшдержтель

1 sl-p I р-п переход

Алюминиевый столШ

Проболошш Вывод


кий корпус Пластинка кремния n-wuna

Кристал-, щдта-тель



р-п переход

Усредненные статические, бопьтамперные характеристика кремниевых диодов на \ малой мощности.

/-Hd-W-KI-o/

Шасси (радиатор) ВыВоднои лепесток

Напряжения а токи в однопериодном Выпрямителе с конденсатором на. Входе фильтра


Ток через

->

у диод

Выпрямлен-

ный ток

t (время)

В 500 Ш 300 200 100 О

-j-1-1-i

Напряжение навходном , конденсаторе фильтра

{(бремя)

Д22В5 Д226В Д726Г Д228Д

Напряжение но Вторичной обмотке трансформатора



КОНСТРУКЦИИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ МАЛОЙ МОЩНОСТИ

Модели сплавных р-п переходов:

герман.е.>1й транзисяора струя ,ры р-п-р


Эмиттер

база Коллектор

]п I Р оллодермотёль

креммиевоге транзистора структуры прп

Разрезы транзисторов


Модель р-п -евегодвв сппаВно виффузионгго германиеВогв транзисторе структуры рп-р

Модель германиевого мезатранзистора структуры р-п-р

,ln*co*Sb Au Sb р -

Змиттер. Ваза Коллектор.


Кристоллодержотель Выбвд 3Mummi

\ \ Пластинка или %\. P*Si\ Sip 1 рл переходами

Вывод коллектора

Ножка

Стеклянный изолятор

Сплавной транзистор в металлическом корпусе


[плавно-диффузионный, плонорный конверсионный транзистор в ме-шаллостеклянном корпусе

Кристоллодержотель Модели р-п пере/вдов планарных кремниевых транзистврвВ: с-г, vypb п-р-п структуры п-р-п зпитаксоольного ]ii}jf


ВыВвд эмиттера

OoocmuHKait ими с р-п

.Змиттер -SiOjfSijNj - база -(рллектвр.

Кристоллодержотель i Мвоель р-п переходов конверсионного 1 германиевого транзистора структуры р-п-р

I In Sb

Змиттер


Стеклянный изолятор

Зпитоксиаль - ныи слой


Зпитаксиольнв-пленарный вескорпусный транзистор в пластмассоввй оболочке

п Змиттер \1 \bD30 Ge

Пластмасса Вывод базы


Криса аллодержатель

Пластинка Si с р-п коллектор переходами

ВыВво эмиттера

3 -ПолупроводниксзлектрвпрвВодностью р-типа

£3 -Полупроводник с злектропрвводностыв птипа

СЗ SaSH повьш/еннвй Электре-проводмостьн! п-типа




1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 [ 15 ] 16