Главная ->  Источники электропитния 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 [ 73 ] 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132


ft г ft ft

о. 2 = 2 2

<] ft T ft 10

<] ft 1 ft ft


lis о

мощность инвертора 1 кВ А. Схема обеспечивает ограничение пускового тока до уровня 1,51ном благодаря регулированию напряжения методом ШИМ. Повышение напряжения до уровня 380 В обеспечи-



вается при помощи трансформатора TV1. На выходе инвертора установлены RC-цепочки для снижения высокочастотных составляющих напряжения при коммутации транзисторных ключей. Перечень компонентов инвертора приведен в табл. 3.18.

Таблица 3.18. Перечень компонентов инвертора

Схемное обозначение

Тип компонента

Конденсаторы

С1...С5

К50-27-350 В-220 мкФ

Сб. С8

К73-16-400 В-0,033 мкФ

Резистор C5-16T-5 Вт-0,15 Ом

R2...R4

Резистор C5-16T-5 Вт-2 кОм

VT1.. VT6

Транзистор КТ847А

VD1 .VD12

ДИ0ДКД213А

Силовые транзисторы VT1...VT6 управляются от предусилителей А1, А2, A3, выполненных по схеме на рис. 3.76. Гальваническая развязка силовых транзисторов от схемы управления осуществляется в схеме предусилителя при помощи оптоэлектронной пары.

Схема дополнительного источника электропитания (узел А4 на рис. 3.75) приведена на рис. 3.77. На рис. 3.78 приведено устройство управления (узел А5 на рис. 3.75). Оно обеспечивает формирование импульсов управления транзисторными ключами и широтно-им-пульсную модуляцию выходного напряжения с частотой заполнения 6,4 кГц.

Задающий генератор, обеспечивающий частоту заполнения 6,4 кГц и осуществляющий ШИМ, собран на многофункциональной интегральной схеме DDI. Дальнейшее деление частоты до уровня 300 Гц, что соответствует 60 электрическим градусам выходной частоты 50 Гц, осуществляется при помощи микросхем DD4, DD5, DD6.

Формирование пачек импульсов, соответствующих 120 электрическим градусам выходной частоты 50 Гц, осуществляется при помощи микросхем DD7...DD11 и DD3. Усиление сигнала до необходимого уровня, соответствующего работе предусилителей, осуществляется при помощи микросхемы DD12 и транзисторов VT1...VT6.

Ограничение пускового тока осуществляется за счет микросхемы DDI путем подачи на вход ее усилителя рассогласования сигнала от датчика постоянного тока. В качестве датчика используется резистор R1 на рис. 3.75.

Перечни компонентов схем на рис. 3.76...3.78 приведены в табл. 3.19... 3.21 соответственно.




Тез Та

Е>

♦т

к<

Е>

♦т

Е>

Е>

~1 R10

Rie VD13

VDIO

Вх. + 12В ст.

Bl ШИМ1

Вх ШИМ 11

U м

~ R11

R19 VDU


Конт

Цепь

Вых кол. 1

Вых база 1

Вых. эмиг. 1

Вых. кол. В

Вых база П

Вых эмкг П

Рис. 3.76. Схема предварительного усилителя



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 [ 73 ] 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132