Обновления
Хрущовки
Архитектура Румынии
Венецианское Биеннале
Столица Грац
Дом над водопадом
Защита зданий от атмосферных осадков
Краковские тенденции
Легендарный город Севастополь
Новый Париж Миттерана
Парадоксы Советской архитектуры
Реконструкция города Фрунзе
Реконструкция столицы Узбекистана
Софиевка - природа и искусство
Строительство по американски
Строительтво в Чикаго
Тектоника здания
Австрийская архитектура
Постмодернизм в Польше
Промышленное строительство
Строительство в Японии
Далее
|
Главная -> Источники электропитния Терморезистор THR ограничивает начальный бросок зарядного тока этих конденсаторов. При помощи переключателя 115 в/230 в SW обеспечивается работа источника при напряжении сети (110...127) или (220...240) в. Разрядные резисторы R1 и R2, включенные параллельно конденсаторам С1 и С2, выравнивают напряжения на этих конденсаторах. Схема запуска выполнена с принудительным возбуждением и содержит пусковой трансформатор Т1, напряжение вторичной обмотки которого выпрямляется диодами D25, D26 и сглаживается конденсатором СЗО. Это напряжение служит для электропитания микросхемы U4 (подается на вывод 12). С вывода 14 микросхемы U4 начинает поступать напряжение от внутреннего опорного источника Uref = +5 в. в это же время запускается внутренний генератор пилообразного напряжения микросхемы U4 и на ее выводах 8 и 11 появляются управляющие импульсы с отрицательным фронтом, сдвинутые один относительно другого на половину периода. Частота импульсов задается конденсатором С29 и резистором R50, подключенными к выводам 5 и 6 соответственно. Предварительный усилитель выполнен по схеме с раздельным управлением силовыми транзисторами Q1 и Q2 инвертора. Напряжение от конденсатора СЗО поступает на средние точки первичных обмоток управляющих трансформаторов Т2 и ТЗ. Эмиттеры выходных транзисторов микросхемы управления U4 соединены между собой (выводы 9 и 10) и с корпусом. К открытым коллекторам этих транзисторов (выводы 8 и 11) подключены первичные полуобмотки управляющих трансформаторов Т2 и ТЗ. Другие первичные полуобмотки вместе с диодами D22 и D23 образуют цепи размагничивания магнитопроводов. Под воздействием управляющих импульсов от микросхемы, поступающих на трансформаторы Т2 и ТЗ, силовые транзисторы Q1 и Q2 поочередно открываются с гарантированной паузой. Силовые транзисторы с конденсаторами С1 и С2 образуют полумостовую схему инвертора, в диагональ которого включена первичная обмотка силового трансформатора Т5. Когда открывается один из транзисторов Q1 или Q2, первичная обмотка трансформатора подключается к соответствующему конденсатору (С2 или С1) и по ней протекает ток в течение открытого состояния транзистора. Диоды D1 и D2 обеспечивают возврат энергии, запасенной в индуктивности рассеивания первичной обмотки трансформатора Т5 за время открытого состояния силовых транзисторов. в связи с наличием межвитковой емкости первичной обмоткой трансформатора Т5 инициируются высокочастотные колебательные процессы. Для подавления этих колебаний параллельно первичной обмотке включена цепочка R7, С4. Конденсатор СЗ, включенный последовательно с первичной обмоткой, устраняет постоянную составляющую тока через эту обмотку и, следовательно, предотвращает подмагничивание магнитопровода. Трансформатор Т5 имеет три вторичные обмотки с выводами от средних точек. В сильноточном канале -1-5 В параллельно диодам сборки SD2 включены цепочки С8, R10 и С9, R11 для подавления высокочастотных помех, возникающих при коммутациях диодов. В канале +12 В диодная сборка SD1 выполнена на диодах Шоттки, поэтому средняя точка вторичной обмотки соединена не с корпусом, а с шиной выходного напряжения канала +5 В. Благодаря этому соединению обратное напряжение, прикладываемое к диодам сборки SD1, не превышает уровня, допустимого для диодов Шоттки. Резисторы R9 и R12 служат для ускорения разряда конденсаторов каналов +5 В и +12 В после отключения источника от сети. Каналы минус 5 В и минус 12 В получаются от одной вторичной обмотки. Диоды D3, D4 выпрямляют напряжения в канале минус 12 В, диоды D5, D6 - напряжения в канале минус 5 В. Стабилизация напряжений в этих каналах осуществляется интегральными стабилизаторами непрерывного действия U1 и U2. Диоды D7 и D9 обеспечивают разряд конденсаторов С16 и С17 на резисторы R14 и R15 после отключения источника от сети. В противном случае эти конденсаторы разряжались бы на стабилизаторы напряжения. Диоды D8 и D10 обеспечивают защиту стабилизаторов U1 и U2 при выходе из строя одного или нескольких диодов D3...D6. В случае пробоя одного из диодов D3...D6 при отсутствии диодов D8 и D10 ко входу стабилизатора U1 или U2 прикладывается положительное импульсное напряжение и переменный ток через однополярные конденсаторы приведет к выходу их из строя. При наличии диодов D8 и D10 переменный ток замыкается через них. Так, при пробое диода D3 ток в положительный полупериод (когда диод D3 должен быть закрыт) замыкается по цепи: переход катод-анод диода D3; дроссель L3; диод D7; диод D8; корпус. Напряжение канала +5 В стабилизируется при помощи ШИМ. Сигнал, пропорциональный выходному напряжению, снимается с резистора R51 и подается на вывод 1 управляющей микросхемы (инвертирующий вход усилителя ошибки). На неинвертирующий вход этого усилителя (вывод 2 микросхемы) подается опорное напряжение с резистора R48. Последний входит в схему делителя, содержащего также резисторы VR1, R49 и подключенного к выходу внутреннего источника опорного напряжения Uref = +5 В (вывод 14 микросхемы). При изменении уровня выходного напряжения канала -1-5 В появляется сигнал ошибки на входе усилителя ошибки микросхемы. Так, при снижении напряжения на шине +5 В ширина управляющих импульсов на выводах 8 и 11 микросхемы увеличивается настолько, чтобы вернуть отклонившееся выходное напряжение к номинальному уровню. Выходные напряжения каналов +5Ви+12В регулируются при помощи резистора VR1. Выходное напряжение канала +12 В в рассматриваемом источнике не стабилизируется. Защитные функции в составе источника выполняют: ограничивающая схема контроля ширины управляющих импульсов; неполная схема контроля выходного перенапряжения на шине +5 В; полная схема защиты от КЗ в нагрузках. Принцип действия двух первых схем описан в разделе 3.5 настоящей главы. Схему защиты от КЗ в нагрузках условно делят на защиту каналов положительных напряжений и защиту каналов отрицательных напряжений. В каналах положительных напряжений датчиком схемы защиты от КЗ является делитель R17, D11, включенный между выходами этих каналов. Контролируемым сигналом является уровень напряжения на аноде диода D11. При номинальных напряжениях на выходах каналов потенциал анода диода D11 составляет около +5,8 В. Это напряжение подается на делитель R18, R19. С резистора R19 напряжение подается на неинвертирующий вход компаратора 1 микросхемы из (вывод 5). На инвертирующий вход этого же компаратора (вывод 4) подается опорное напряжение с резистора R27. Уровень опорного напряжения выбран несколько меньшим уровня напряжения на неинвер-тирующем входе в нормальном режиме работы. При соблюдении этого условия выходной транзистор компаратора 1 закрыт и схема источника работает в режиме ШИМ. В случае КЗ в нагрузке канала +12 В потенциал анода диода D11 снижается до нуля и выходной транзистор компаратора 1 открывается, в результате чего резистор R39 подключается к корпусу и транзистор Q4 закрывается. После этого заряжается конденсатор С22, который выполняет функцию цепи задержки срабатывания защиты.
|