|
 Обновления |
Главная -> Источники электропитния ГТ/2 Вход ШИМ 1 1 Г Вход ШИМ 2 [ ГТ/2 I ~1 \ут2 VD4
D 4 I VDll VD12 Рис 3.36. Схема предварительного усилителя мощности ГГ/2 - Б гТ/2 - Э -К - Б Т/2 -Э < а а а < г § 2q Диод VD6, подключенный к коллектору силового транзистора, стабилизирует коэффициент насыщения последнего путем регулирования сопротивления перехода коллектор-эмиттер транзистора VT1. Транзистор VT2 в этот момент времени находится в закрытом состоянии в связи с обратным потенциалом на переходе база-эмиттер. После окончания протекания тока через светоизлучающий диод оптопары VD9 закрывается переход коллектор-эмиттер транзистора D1.3 (выходы 11 и 10), что приводит к отпиранию перехода коллектор-эмиттер (выходы 14 и 13). Этот переход соединяет базу проходного транзистора VT1 с отрицательным полюсом выпрямителя, прекращая тем самым подачу тока в базу силового транзистора. При отсутствии тока в цепи базы транзистора VT1 отпирается транзистор VT2 благодаря прямому смещению его перехода база-эмиттер. Это приводит к протеканию запирающего тока от отрицательного электрода конденсатора С2 через переход база-эмиттер силового транзистора. Ограничение тока осуществляется при помощи резистора R3. После окончания времени рассасывания и восстановления отрицательного потенциала на базе транзистор VT2 закрывается. При этом отрицательное напряжение на переходе база-эмиттер силового тр£1нзистора продолжает сохраняться до прихода следующего отпирающего импульса за счет открытого перехода коллектор-эмиттер (выходы 14 и 13), который соединяет отрицательный полюс конденсатора 03 с базой силового транзистора. Применение схемы предварительного усилителя мощности на рис. 3.36 в полумостовом инверторе с последовательно соединенными транзисторами типа 2Т841А и возвратными диодами обеспечивает получение выходной мощности инвертора до 500 Вт. В схеме использованы компоненты, которые приведены в табл. 3.3. Электрическая схема трансформатора TV1 показана на рис. 3.37, обмоточные данные приведены в табл. 3.4. Обмотки размещены на магнито-проводе К20х12х6 из феррита марки М2000НМ1-17. Рабочая частота составляет 20 кГц. После изготовления обмоток производится пропитка лаком МЛ-92. 7В JA 0,1 А 4В 0,1 А Рис. 3.37. Электрическая схема трансформатора предварительного усилителя мощности Таблица 3.3. Компоненты схемы предварительного усилителя мощности на рис. 3.36
Таблица 3.4. Обмоточные данные трансформатора для схемы на рис. 3.37
Существенное расширение области безопасной работы мощного транзисторного ключа возможно за счет коммутации цепи эмиттера высоковольтного биполярного транзистора. На рис. 3.38 представлена схема ключа, рассчитанная на переключение тока до 10 А при напряжении Икэтах 350 В. В цепь эмиттера высоковольтного транзистора VT4 типа 2Т841А (или 2Т847А) включен низковольтный быстродействующий транзистор VT5 типа 2Т819А (или 2Т866А). Перечень компонентов схемы приведен в табл. 3.5.
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||