микросхемы DAI как эмиттерных повторителей и отсутствием вывода средней точки первичной обмотки трансформатора. Схема применена в источнике электропитания с выходной мощностью 200 Вт. Когда открывается транзистор микросхемы DA1 с выводами 8 и 9, то ток от шины электропитания проходит через делитель R1, R2 и открывается транзистор VT1 усилителя мощности. Поскольку транзистор VT2 в это время закрыт, то ток проходит по первичной обмотке от вывода 2 к выводу 1. Благодаря различным направлениям намотки вторичных обмоток осуществляется включение одного из силовых транзисторов источника электропитания, например, от вторичной обмотки с выводами 3 и 4.

Рис. 3.24. Транзисторная схема с общим управлением предварительного усилителя мощности

После того, как закроется транзистор VT1, микросхема DA1 обеспечивает паузу перед включением транзистора VT2. Когда откроется транзистор VT2, начнет протекать ток по первичной обмотке от вывода 1 к выводу 2, что приведет к включению другого силового транзистора источника электропитания (от вторичной обмотки с выводами 5 и 6). После того, как закроется транзистор VT2, микросхема DA1 обеспечивает паузу перед включением транзистора VT1 и процессы в схеме повторяются.

В бестранзисторной схеме с общим управлением предварительного усилителя коммутацию цепей первичной обмотки трансформатора TV1 осуществляет микросхема DA1 без промежуточных усили-

тельных транзисторов (рис. 3.25). Такая схема предварительного усилителя используется в источнике электропитания типа PS-200B.

и -12В

Рис. 3.25. Бестранзисторная схема с общим управлением предварительного усилителя мощности

Бестранзисторная схема с раздельным управлением показана на рис. 3.26. Она нашла применение в источнике электропитания с выходной мощностью 200 Вт. В ней используются два управляющих трансформатора TV1 и TV2, первичные полуобмотки которах являются коллекторными нагрузками транзисторов микросхемы DA1 (выводы 8 и 11). Каждый трансформатор служит для управления своим силовым транзистором источника электропитания. Данную схему можно рассматривать как два однотактных прямоходовых преобразователя. Оба трансформатора TV1 и TV2 работают с постоянной составляющей тока первичной обмотки, поэтому предусмотрены диоды VD1 и VD2, которые вместе с соответствующими первичными полуобмотками обеспечивают размагничивание магнито-

VD2 N4148

Рис. 3.26. Бестранзисторная схема с общим управлением предварительного усилителя мощности

проводов в нерабочем цикле. Перемагничивание магнитопроводов осуществляется по частному циклу только при положительных значениях индукции, поэтому такие трансформаторы имеют завышенные массу и объем.

Вариант схемы предварительного усилителя мощности с двумя трансформаторами приведен на рис. 3.27. Диаграммы работы предварительного усилителя показаны на рис. 3.28. Трансформаторы обеспечивают раздельное формирование насыщающего 1бн и закрывающего 1бз токов баз транзисторов инвертора. Для передачи насыщающих токов баз служит трансформатор TV1 (рис. 3.28, а), для передачи запирающих токов баз - трансформатор TV2 (рис. 3.28, б). Двухполу-периодные выпрямители на диодах VD1, VD2 и VD3, VD4 делают широтно-модулированный сигнал управления силовыми транзисторами инвертора однополярным (рис. 3.28, в). Напряжения, подаваемые на базы транзисторов VT1 и VT2, показаны на рис. 3.28, г, д.

Рис. 3.27. Схема ПУМ с двумя трансформаторами Напряжение вторичных обмоток выбирается из условия:

U2 < 0,7 ПэБтах

и равно примерно (3...4) В для современных кремниевых планарных транзисторов.

Значение насыщающего тока базы Хввас находится из зависимости:

1внас = (U2TV1 - ивЭтах) / R1.