Главная ->  Источники электропитния 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 [ 41 ] 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132

Uk3vt4 на переходах коллектор-эмиттер и напряжения U2 на вторичной обмотке трансформатора.

К недостаткам мостовой схемы инвертора можно отнести сложность устройства управления в связи с необходимостью использования четырех транзисторов и возможностью намагничивания трансформатора из-за неидентичности параметров транзисторов и устройств У У1... У У 4 формирования импульсов управления.

Для исключения намагничивания используют схемы ограничения насыщения трансформатора или включают последовательно с первичной обмоткой трансформатора конденсатор С1 с минимальной емкостью

С1 > 0,36 1к / (fnpUc),

где fnp - частота преобразования, равная 1/Т;

Uc- - допустимая переменная составляющая для определенного типа конденсатора.

Полумостовая схема инвертора приведена на рис. 3.12, а. Она содержит транзисторы VT1, VT2 в одной цепи и конденсаторы С1, С2 в другой цепи. В диагональ моста, образованного транзисторами и конденсаторами, включен трансформатор VT1. Транзисторы инвертора шунтируются обратными диодами VD1, VD2 для замыкания выбросов напряжения, возникающих при коммутации тока в цепи с индуктивностью рассеивания трансформатора TV1. Транзисторы VT1, VT2 открываются поочередно на время у Т/2, вследствие чего в форме напряжения на первичной обмотке трансформатора имеется пауза, в течение которой напряжение равно нулю, при этом максимальное значение напряжения близко к Ubx/2 (рис. 3.12, б).

В течение одного полупериода, когда транзистор VT1 открыт, а транзистор VT2 закрыт, конденсатор С1 разряжается на первичную обмотку трансформатора. В это время конденсатор С2 заряжается. В другой полупериод, при открытом транзисторе VT2 и закрытом транзисторе VT1, конденсатор С1 заряжается, а конденсатор С2 разряжается. Конденсаторы С1 и 02 рекомендуется применять ла-копленочные или керамические, допускающие работу на частоте преобразования fnp со значительной пульсацией напряжения.

Минимальные емкости конденсаторов определяются по формуле

01 = С2 = 0,21ктах / (fnpUc). (2.3)



Максимальное напряжение на коллекторах транзисторов в полумостовой схеме равно Ubx- Максимальное значение импульсов тока транзисторов в два раза больше по сравнению с мостовой схемой и определяется из соотношения

1Кимп ~ 2,2 Рвых / (TlUBxminYmax)-

Основным преимуш;еством схемы является отсутствие подмагни-чивания магнитопровода трансформатора, вызванного разбросом максимальных значений импульсов разной полярности и их длительностей. Полумостовые схемы рекомендуется использовать при выходной мощности источника электропитания от 100 до 500 Вт в зависимости от типа выбранного транзистора инвертора.

Полумостовая схема инвертора с последовательно соединенными транзисторами VT1...VT4 и возвратными диодами VD3, VD4 показана на рис. 3.13, а. Она позволяет снизить напряжение на закрытых транзисторах до 0,5 Ubx-

Управление транзисторами осуществляется следующим образом. Средние транзисторы VT2 и VT3 управляются от задающего генератора сигналами длительностью Т/2. Крайние транзисторы VT1 и VT4 управляются широтно-модулированными сигналами длительностью у Т/2. В один из полупериодов открыты транзисторы VT1 и VT2, а транзисторы VT3 и VT4 закрыты, напряжение от конденсатора С1 поступает на нагрузку. По окончании рабочего такта транзистор VT1 закрывается, при этом ток в индуктивности нагрузки протекает через открытый тргшзистор VT2 и диод VD3. Напряжение на закрытом транзисторе в это время будет равно Ubx/2, так как ток в нагрузке не прерывается, а следовательно, отсутствует перенапряжение.

В следующем такте закрывается транзистор VT2, а открывается VT3, VT4. К нагрузке прикладывается напряжение конденсатора 02.

В последующем такте закрывается транзистор VT4 и открывается транзистор VT3. Ток нагрузки протекает через открытый транзистор VT3 и диод VD4. Перенапряжение при этом не возникает. В данной схеме динамические потери ниже, чем у схемы на рис. 3.12, а. Увеличению КПД способствует рекуперация энергии в нагрузку. Диаграммы напряжений рассматриваемой схемы представлены на рис. 3.13, б. Максимальное значение импульса тока через переходы коллектор-эмиттер транзисторов соответствует максимальному значению тока полумостовой схемы на рис. 3.12, а. Емкости конденса-




Рис. 3.13. Полумостовой инвертор с четырьмя последовательно

соединенными транзисторами: а - электрическая схема; б - диаграммы напряжений (штриховыми линиями показано влияние паразитных параметров)

торов С1 и С2 определяются из выражения (2.3). Недостатком схемы являются увеличенные в два раза статические потери в транзисторах инвертора, а также сложность управления, вызванная применением четырех транзисторов.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 [ 41 ] 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132