ния от 7 до 37 в показана на рис. 2.78. Напряжение, подаваемое на вывод 11, должно быть не более напряжения, подаваемого на вывод 12, т.е. UbxI < Ubx2. Сопротивления резисторов R1, R2 приведены в табл. 2.7. Номиналы конденсаторов: С1 > 1 мкФ; С2 > 100 пФ; СЗ = 0,1 мкФ. Резистор R3 служит для подгрузки схемы.

Схема включения микросхемы КР142ЕН14 с умощнением внешним п-р-п-транзистором показана на рис. 2.79. Назначение и номиналы компонентов R1...R5, С1...СЗ соответствуют приведенным на рис. 2.76. Сопротивление резистора R6 выбирается из условия:

Пвых / R6 = 1 мА.

При расчете схемы включения должны соблюдаться условия:

Inop Ubx PVT,

ч°Р . Т

h21VT

Ubx Ррас.доп

где Inop - пороговый ток, превышение которого приводит к срабатыванию защиты от короткого замыкания; h2ivT - максимальное значение коэффициента передачи по току транзистора VT1;

PvT - рассеиваемая мощность транзистора VT1; Ррас.доп - предельно допустимая рассеиваемая мощность микросхемы.

Схема включения микросхемы КР142ЕН14 с умощнением внешним р-п-р-транзистором показана на рис. 2.80. При расчете схемы должны соблюдаться условия для схемы на рис. 2.79. Назначение и номиналы компонентов R1...R4, С1...СЗ соответствуют приведенным на рис. 2.76. Резистор R5 служит для замыкания тока утечки регулирующего элемента микросхемы (выбирается в пределах 100...200 Ом). Резистор R6 служит для подгрузки схемы.

Схема включения микросхемы КР142ЕН14 с регулировкой выходного напряжения в пределах от О до (Ubx - IB) при токе 1вых = = 10 мА показана на рис. 2.81. Назначение и номиналы компонентов R3, С1...СЗ соответствуют приведенным на рис. 2.76. Напряжение Ubx2 дополнительного источника электропитания выбирается в пределах (10...30) В. Сопротивление резистора для замыкания тока утечки регулирующего элемента микросхемы рекомендуется в пре-

делах (200...300) Ом. Сопротивления резисторов R5, R6 делителя выходного напряжения выбираются из условий:

R5 R6 , Пвых R5 , = 1,5кОм, -

R5 + R6 Uon R6

Рекомендуемые значения сопротивлений делителя напряжения:

R1 = R2 = 3 кОм ± 5%. Резистор R7 служит для подгрузки схемы.

Стабилизатор напряжения отрицательной полярности на базе микросхемы КР142ЕН14 показан на рис. 2.82. Рекомендуемые значения емкостей конденсаторов: С1 = 100 пФ; С2 > 0,1 мкФ.

Сопротивления резисторов R1 и R2 делителя опорного напряжения выбирются в соответствии с табл. 2.7. Делитель выходного напряжения выбирается из условий:

г, R5 1 ч л ивых R4 + R5

при этом Ubmx ДОЛЖНО быть В пределах (9,5...40) В. Сопротивление резистора R3 для замыкания базового тока транзистора VT1 выбирается из условия:

jg (Ubx - Цвых) h21VT 1нтах

Параллельный стабилизатор напряжения на базе микросхемы КР142ЕН14 показан на рис. 2.83. Рекомендуемые значения емкостей конденсаторов: С1 = 5000 пФ; С2 = 0,1 мкФ. Номиналы резисторов R1 и R2 выбираются в соответствии с табл. 2.7.

Сопротивление резистора R3 ддя уменьшения мощности, рассеиваемой микросхемой, определяется в диапазоне от 100 до 1000 Ом. Сопротивление гасящего резистора:

R4 = (Ubx - Пвых) / 1выхтах.

На выходе схемы включается резистор нагрузки R5.

Схема, обеспечивающая выключение микросхемы внешним сигналом, показана на рис. 2.84, где G - источник внешнего сигнала; SA - ключ для подачи внешнего сигнала. Сопротивление резистора R3 = 2 кОм ± 5%. Сопротивление резистора R4 выбирается из условия протекания в цепи выключения тока не более 3 мА. Значе-

ния емкостей конденсаторов: С1 = 1 мкФ ±20%; С2 = 100 пФ ±10% ; СЗ = ОД мкФ ±20%.

Минимальный ток, необходимый для срабатывания схемы выключения, составляет 0,5 мА. Предельно допустимый ток в цепи выключения не превышает 3 мА.

Типовые характеристики микросхемы КР142ЕН14 приведены на рис. 2.86 и 2.87. Пороговый ток Inop на рис. 2.86 рассчитывается по формуле:

Inop -

Ubx - Ub

l-ilS 22)mA

Рис. 2.86. Зависимость выходного напряжения от выходного тока при срабатывании схемы защиты от короткого замыкания (Ubx = 40 В; Ubux = 30 В)

10 5-10 № S-IO 10 S-IO 1Гц

Рис. 2.87. Зависимость коэффициента Rcr сглаживания пульсаций от частоты f (Ubx = 12 В; Ubmx = 5 В; Ьых = 1,0 мА; 9 = 25±10 °С; С1 = 5,0 мкФ)