Главная ->  Источники электропитния 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 [ 22 ] 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132

U2EH9

-IT-

IF -X.

Рис. 2.46. Основная схема включения интегрального стабилизатора 142ЕН9

Входное напряжение микросхемы в диапазоне температур корпуса от минус 60 до +125 °С составляет 40 В. В диапазоне входных напряжений от 40 до 60 В выходное напряжение микросхем может уменьшиться до нуля из-за срабатывания защиты. При всех условиях эксплуатации емкость конденсатора С1 должна быть не менее 0,33 мкФ. Емкость конденсатора С2 = 1 мкФ. Длительность Тфр фронта входного напряжения должна быть не менее приведенных на рис. 2.47 при 01 = 0,33 мкФ.

Зависимость максимальной рассеиваемой мощности от температуры корпуса приведена на рис. 2.48.



t ,MKC

S40B

xS3SB

U S3C

о 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1, ,А О 0,2 0,4 0,6 0,8 1 .А

Рис. 2.47. Зависимость длительности фронта входного напряжения от выходного тока при температуре корпуса: а - {25±10) С; б - 125 °С

-60 - 40 - 20 о 20 40

80 100 120

Рис. 2.48. Зависимость рассеиваемой мощности микросхемы 142ЕН9 от температуры корпуса



в микросхеме имеется встроенная защита от короткого замыкания и перегрузки по току. Зависимость выходного напряжения от выходного тока при включении схемы зепциты от перегрева кристалла приведена на рис. 2.49. Заштрихованная на рисунке область указывает разброс параметра для 95% микросхем при температуре окружающей среды (25±10) °С и соотношении входного Ubx и выходного ивых напряжений:

Ubx = ивых + 2,5 в.

ном 1,0

о 0,5 1.0 1,5 2,0 2,5 1,А

Рис. 2.49. Зависимость выходного напряжения от выходного тока при включении схемы защиты

Основная схема включения интегрального стабилизатора напряжения 142ЕН10 показана на рис. 2.50. При всех условиях эксплуатации значение емкости С1 должно быть не менее 2,2 мкФ для танталовых и не менее 10 мкФ для алюминиевых конденсаторов, а значение емкости С2 должно быть не менее 1 мкФ для танталовых и не менее 10 мкФ для алюминиевых конденсаторов. Допускается применение только электролитических конденсаторов.


Рис. 2.50. Основная схема включения микросхемы 142ЕН10

Выбор делителя выходного напряжения производится при выполнении следующих условий:

1) ток делителя должен быть не менее (1,5±2,25) мА;

2) сопротивления резисторов R1 и R2 должны определяться зависимостью



Uo.c (Rl + R2) R2

где Uo.c - напряжение обратной связи на выводе 4, Uo.c = (2,3±0,23) В.

На рис. 2.51 приведена схема включения микросхемы 142ЕН10 внешним сигналом. Сопротивление резистора R1 выбирается в соответствии с соотношением

R1 = (Увыкл / 1выкл) Rbh,

где ивыкл - напряжение источника внешнего сигнала для выключения микросхемы; ивыкл 3 В; АВЫКЛ > 1,5 мА;

Rbh - внутренний резистор в микросхеме;

Rbh = (1,5±0,3) кОм.

Рис. 2.51. Схема включения микросхемы 142ЕН10 внешним сигналом

Схема включения интегрального стабилизатора 142ЕН10 с внешним транзистором для увеличения выходной мощности показана на рис. 2.52.

Рис. 2.52. Схема стабилизатора напряжения с внешним транзистором для увеличения выходной мощности



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 [ 22 ] 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132