Главная ->  Источники электропитния 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 [ 21 ] 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132

CI j£2

Lc3 * Ш r

T

C5

Рис. 2.40. Схема регулировки выходного напряжения каналов для увеличения напряжения

-60 - 40 - 20 о 20 40 60 80 100 120

Рис. 2.41. Зависимость максимальной рассеиваемой мощности микросхемы 142ЕН6 от температуры корпуса

: 10

I.b . - lA

Рис. 2.42. Схема включения микросхемы 142ЕН6 с шунтирующим транзистором и ограничением тока

Основная схема включения микросхемы 142ЕН8 показана на рис. 2.44, где значение емкости конденсатора С1 должно быть не менее 0,68 мкФ. На рис. 2.45 приведена зависимость рассеиваемой мош;ности от температуры корпуса. Стабилизаторы напряжения с шунтирующим транзистором и ограничением тока с использованием ИМС 142ЕН8 выполняются аналогично схемам на рис. 2.35 и 2.36.



7 C/Td

X-r\

Рис. 2.43. Стабилизатор напряжения с шунтирующим транзистором и ограничением тока

Рис. 2.44. Основная схема включения микросхемы 142ЕН8

-60 - 40 - 20 О 20 40 60

Рис. 2.45. Зависимость рассеиваемой мощности микросхемы 142ЕН8 от температуры корпуса

Рассмотрим расчет схемы на рис. 2.35 с использованием микросхемы 142ЕН при входном напряжении 20 В, выходном напряжении 12 В и выходном токе 5 А. Схема должна обеспечивать ограничение тока на заданном уровне при коротком замыкании в нагрузке. В качестве интегрального стабилизатора напряжения выбираем микросхему типа 142ЕН8Б. Транзистор VT2 выбирается из условия рассеивания им выделяющейся мощности в режиме короткого за-



мыкания нагрузки. Цепь ограничения тока рассчитывается с учетом максимального тока нагрузки 5 А.

При коротком замыкании нагрузки в транзисторе VT2 выделяется мощность

PvT2 = UbxIbmx = 20 5 = 100 Вт.

С учетом разброса параметров компонентов цепи ограничения (напряжения на переходе эмиттер-база транзистора VT1 и сопротивления резистора R1) эту мощность рекомендуется увеличить на 30% и принять

PvT2 = 1,3-100 = 130 Вт.

В качестве транзистора VT2 выбираем прибор 2Т818, статический коэффициент усиления которого Р = 10 при токе коллектора 1к = 5 А. Ток базы при этом

С учетом разброса параметров напряжения иэв транзистора VT2 и сопротивления резистора R2 увеличиваем ток базы транзистора VT2 на 30%:

Ibvt2 = 1,3-0,451 = 0,59 А.

В качестве транзистора VT1 выбираем прибор типа 2Т208. Для перевода его в открытое состояние падение напряжения на резисторе R1 должно быть не менее 0,65 В. Исходя из этого, сопротивление резистора R1

R1==:M5 = o,13 0m.

iKmax О

Минимальный ток нагрузки, превышение которого приводит к переводу транзистора VT2 в открытое состояние, равен mis, где коэффициент m выбираем в пределах 0,1...0,9. Если принять m = = 0,2, то сопротивление резистора R2 составит:

R2 = i = -?=5,5 0M. ml5VT2 0,2 0,59

Основная схема включения интегрального стабилизатора напряжения 142ЕН9 приведена на рис. 2.46.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 [ 21 ] 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132