CI j£2

Рис. 2.40. Схема регулировки выходного напряжения каналов для увеличения напряжения

-60 - 40 - 20 о 20 40 60 80 100 120

Рис. 2.41. Зависимость максимальной рассеиваемой мощности микросхемы 142ЕН6 от температуры корпуса

: 10

I.b . - lA

Рис. 2.42. Схема включения микросхемы 142ЕН6 с шунтирующим транзистором и ограничением тока

Основная схема включения микросхемы 142ЕН8 показана на рис. 2.44, где значение емкости конденсатора С1 должно быть не менее 0,68 мкФ. На рис. 2.45 приведена зависимость рассеиваемой мош;ности от температуры корпуса. Стабилизаторы напряжения с шунтирующим транзистором и ограничением тока с использованием ИМС 142ЕН8 выполняются аналогично схемам на рис. 2.35 и 2.36.

7 C/Td

X-r\

Рис. 2.43. Стабилизатор напряжения с шунтирующим транзистором и ограничением тока

Рис. 2.44. Основная схема включения микросхемы 142ЕН8

-60 - 40 - 20 О 20 40 60

Рис. 2.45. Зависимость рассеиваемой мощности микросхемы 142ЕН8 от температуры корпуса

Рассмотрим расчет схемы на рис. 2.35 с использованием микросхемы 142ЕН при входном напряжении 20 В, выходном напряжении 12 В и выходном токе 5 А. Схема должна обеспечивать ограничение тока на заданном уровне при коротком замыкании в нагрузке. В качестве интегрального стабилизатора напряжения выбираем микросхему типа 142ЕН8Б. Транзистор VT2 выбирается из условия рассеивания им выделяющейся мощности в режиме короткого за-

мыкания нагрузки. Цепь ограничения тока рассчитывается с учетом максимального тока нагрузки 5 А.

При коротком замыкании нагрузки в транзисторе VT2 выделяется мощность

PvT2 = UbxIbmx = 20 5 = 100 Вт.

С учетом разброса параметров компонентов цепи ограничения (напряжения на переходе эмиттер-база транзистора VT1 и сопротивления резистора R1) эту мощность рекомендуется увеличить на 30% и принять

PvT2 = 1,3-100 = 130 Вт.

В качестве транзистора VT2 выбираем прибор 2Т818, статический коэффициент усиления которого Р = 10 при токе коллектора 1к = 5 А. Ток базы при этом

С учетом разброса параметров напряжения иэв транзистора VT2 и сопротивления резистора R2 увеличиваем ток базы транзистора VT2 на 30%:

Ibvt2 = 1,3-0,451 = 0,59 А.

В качестве транзистора VT1 выбираем прибор типа 2Т208. Для перевода его в открытое состояние падение напряжения на резисторе R1 должно быть не менее 0,65 В. Исходя из этого, сопротивление резистора R1

R1==:M5 = o,13 0m.

iKmax О

Минимальный ток нагрузки, превышение которого приводит к переводу транзистора VT2 в открытое состояние, равен mis, где коэффициент m выбираем в пределах 0,1...0,9. Если принять m = = 0,2, то сопротивление резистора R2 составит:

R2 = i = -?=5,5 0M. ml5VT2 0,2 0,59

Основная схема включения интегрального стабилизатора напряжения 142ЕН9 приведена на рис. 2.46.