10 .

-60 - 30 о 30 60 90 IJO в,. , С

Рис. 2.32. Зависимость максимальной рассеиваемой мощности микросхем 142ЕН5А...Г от температуры корпуса

120 в С

Рис. 2.33. Зависимость максимальной рассеиваемой мощности микросхем 142ЕН5А...Г от температуры окружающей среды без теплоотвода

1,0 1,4 1,8 2,2 2.6 1, ,А

Рис. 2.34. Зависимость минимального входного напряжения от выходного тока

)-1 - VT2

Рис. 2.35. Схема с шунтирующим транзистором и ограничением тока

Недостатком схемы на рис. 2.35 является увеличение минимальной разницы между входным и выходным напряжением ориентировочно на 1,3 В при максимальном токе нагрузки. В схеме на рис. 2.36 этот недостаток несколько уменьшен (указанная минимальная разница напряжений увеличивается лишь на значение Павутг = = 0,65 В.

Рис. 2.36. Схема с уменьшенной разницей между входным и выходным напряжениями

Основные схемы включения микросхемы 142ЕН6 приведены на рис. 2.37 и 2.38. При этом допускается подключение нагрузки к одному из каналов или к двум каналам одновременно.

Рис. 2.37. Основная схема включения микросхемы 142ЕН6

С1 С2

Рис. 2.38. Основная схема включения микросхемы 142ЕН6 без подбора емкостей конденсаторов

При подключении нагрузки только к положительному каналу входное напряжение Ubx на отрицательном канале должно быть

Ubx > IUbmxI + Unflmin ,

где Пвых - выходное напряжение на отрицательном выходе; ипдпйп - минимальное падение напряжения на отрицательном выходе.

При подключении нагрузки только к отрицательному каналу входное напряжение на положительном канале может быть уменьшено до 10 В. При подключении нагрузки одновременно к двум

каналам допускается эксплуатация микросхем при несимметричном входном напряжении на каналах или же при несимметричной нагрузке каналов выходным током. При этом режиме должно соблюдаться соотношение

ивых + ипдтш-

Значения емкостей конденсаторов на схеме рис. 2.37 выбираются с учетом конструктивных особенностей РЭС, те. с учетом длины жгутов, марки проводов и кабелей, типов разъемов. Для конденсаторов С1, С2, С5, С6 емкости выбираются в диапазоне (0,01... 15) мкФ, для конденсаторов СЗ, С4 - в диапазоне (0,001...0,2) мкФ. Емкости конденсаторов в схеме на рис. 2.38 составляют: С1 > 1 мкФ; С2 > 1 мкФ; СЗ = (0,005...0,1) мкФ; С4 = (0,01...0,1) мкФ; С5 > 2 мкФ; С6 > 2 мкФ. При этом не требуется подбора емкостей конденсаторов.

На рис. 2.39 приведена схема регулировки выходного напряжения каналов для уменьшения напряжения в диапазоне от 5-о,5 до 15-3 В или от минус 5-о,5 до минус 15-3 В.

В этой схеме резистор R1 включается между выводами 2 и 8 микросхемы. Для регулировки выходного напряжения каналов при увеличении напряжения в диапазоне от 15 до 25 В или от минус 15 до минус 25 В резистор R1 включается между выводами 2 и 4 микросхемы (рис. 2.40).

Рис. 2.39. Схема регулировки выходного напряжения каналов для уменьшения напряжения

На рис. 2.41 приведена зависимость максимальной рассеиваемой мощности микросхемы 142ЕН6 от температуры корпуса. Схемы включения микросхемы 142ЕН6 с шунтирующим транзистором и ограничением тока приведены на рис. 2.42 и 2.43.