Рис. 2.26. Зависимость сопротивления резистора R1 от температуры корпуса микросхемы 142ЕНЗ, 4

11 13 .-I ГП

Рис. 2.27. Схема включения микросхемы с внутренней схемой защиты от перегрузок по току

В стабилизаторе напряжения с увеличенным выходным током используется внешний транзистор VT1 (рис. 2.28).

Рис. 2.28. Схема включения микросхемы с внешним транзистором для увеличения выходного тока

Емкости конденсаторов С1, С2 и СЗ выбираются аналогично схеме на рис. 2.25. Между выводами 8 и 13 допускается включать

резистор Rl, сопротивление которого определяется параметрами транзистора VT1.

Схема включения микросхем типов 142ЕНЗ и 142ЕН4 при наличии помех в цепи обратной связи приведена на рис. 2.29. При попадании помехи из внешней цепи в цепь обратной связи (выводы 4 и 8) возможен переход микросхемы 142ЕНЗ (или 142ЕН4) в

неуправляемый устойчивый режим, при котором Пвых = Ubx-

143ЕНЗ, I4ZEH4

1 R3

Рис. 2.29. Схема включения микросхем при наличии помех в цепи обратной связи

Для предотвращения перехода микросхемы в неуправляемый устойчивый режим рекомендуется подключить к выводам 4 и 8 ограничитель напряжения на уровне (3,4...4,0) В. Вероятность перехода микросхемы в неуправляемый режим возрастает при условии

Ubx > 1,5ивых.

Емкость корректирующего конденсатора С2 должна быть не менее 0,0047 мкФ. Емкость выходного конденсатора СЗ выбирается не менее 0,1 мкФ. Стабилитрон VD2 выбирается о напряжением стабилизации Uct = (2,8...3,4) В. Разделительный диод должен иметь прямое падение напряжения Unp 0,6 В. Сопротивление резистора R3 определяется выражением

R3 <

Ubx - Uc Icrmin

где IcTmin минимальный ток стабилизации стабилитрона.

Основная схема включения микросхем 142ЕН5А,Б,В,Г приведена на рис. 2.30. Схема включения на повышенные значения выходного напряжения показана на рис. 2.31. В этой схеме сопротивление резистора R2 выбирается из соотношения

(Цвых ~ Ивых-м) R1 ивых.м+ InoT Rl

где Ubmx.m - выходное напряжение микросхемы, В; InoT - ток потребления микросхемы. А; R1 = 300 Ом.

Рис. 2.30. Основная схема включения микросхем 142ЕН5А...Г

142EHS

С1 X2

С2 1

Рис. 2.31. Схема включения микросхем 142ЕН5А...Г на повышенные значения выходного напряжения

Зависимость максимальной рассеиваемой мощности от температуры корпуса приведена на рис. 2.32, а зависимость максимальной рассеиваемой мощности от температуры окружающей среды без теплоотвода - на рис. 2.33. Зависимость минимального входного напряжения от выходного тока показана на рис. 2.34.

Схема стабилизатора напряжения с шунтирующим транзистором и ограничением тока приведена на рис. 2.35. Максимально допустимый ток микросхемы увеличивается благодаря транзистору VT2.

Пороговый ток Inop при срабатывании защиты от перегрузки по току имеет разброс, определяемый существенным разбросом статического коэффициента усиления транзистора VT2. Поэтому для ограничения тока на определенном уровне при перегрузках в схему введены транзистор VT1 и резистор R1.

Схема работает следующим образом. При малом значении тока нагрузки падение напряжения на резисторе R2 невелико и транзистор VT2 закрыт. При увеличении тока нагрузки увеличивается падение напряжения на резисторе R2 и транзистор VT2 открывается, причем ток в нагрузку поступает двумя путями: через микросхему и через шунтирующий транзистор VT2. При определенном значении тока падение напряжения на резисторе R1 открывает транзистор VT1, шунтируя переход эмиттер-база транзистора VT2. Благодаря этому ограничивается ток на заданном уровне даже при коротком замыкании в нагрузке, а микросхема отключается от коротко-замкнутой цепи собственной внутренней защитой.