I .MA 30 10

2 4 6 в 10 12 U I13,Oh

1 .HA 30

12 1> 24 U, .!

Рис. 2.17. Зависимость тока корот- Рис. 2.18. Зависимость тока короткого замыкания от сопротивления кого замыкания от выходного датчика тока при Пвых = 15 В напряжения при R3 = 6 Ом

2 4 6 8 10 12 14 R3.0H

Рис. 2.19. Зависимость порогового тока Inop от сопротивления датчика тока

200 400 600 800

R .0

Рис. 2.20. Зависимость остаточного напряжения от сопротивления нагрузки Rh

142ЕН1 142EH2

vri Г-

С1 0,1

5 1.2k

Рис. 2.21. Схема применения с подключением внешнего транзистора для увеличения выходного тока и с включенной схемой заш;иты от коротких замыканий нагрузки

При оценке параметров компонентов схемы должны учитываться зависимости, приведенные на рис. 2.22 (при R3 = 1,1 Ом) и рис. 2.23 (при Пвых = 15 В).

1 ,иА 200

о 3 в 9 12 IS 18 21 24 27 U ,.B

Рис. 2.22. Зависимость тока короткого замыкания от выходного напряжения при R3 = 1,1 Ом

0,4 0,8 1.2 1.0 2.0 КЗ,Он

Рис. 2.23. Зависимость порогового тока от сопротивления датчика тока при ивых = 15 В

Основная схема включения микросхем 142ЕНЗ,4 приведена на рис. 2.24, где емкости конденсаторов выбираются из условий:

С1 S 2,2 мкФ; С2 S 0,0047 мкФ; СЗ 0,1 мкФ.

142ШЗ,4

uj J C3 Tr2 =Г=

Рис. 2.24. Основная схема включения микросхем 142БНЗ, 4

Сопротивления резисторов R1 и R2 выбираются согласно формуле:

ивых =

Uo.c(Rl + R2) R2

где Uo.c - напряжение обратной связи, подаваемое на выход 4; Uo.c = (2,6±0,26) В.

Минимальный ток делителя (1,5±0,225) А.

При изменении выходного тока 1вых в пределах О < Хвых S Хвыхтах

и изменении или определенном значении тока Хвых в пределах О < Хвых 50 мА должно выполняться соотношение (СЗ/С2) <,10. При

изменении или определенном значении тока 1вых в пределах 50 мА < 1вых S 1выхтах соотношение СЗ/С2 не регламентируется.

Для повышения надежности РЭС рекомендуется использовать внутреннюю схему тепловой заш;иты согласно рис. 2.25. Значения емкостей конденсаторов выбираются следуюш;ие: С1 > 2,2 мкФ; С2 S 0,0047 мкФ; СЗ > 0,1 мкФ.

U2EH3.4

ТГ~57

Рис. 2.25. Схема включения микросхем 142ЕНЗ, 4 с применением

тепловой защиты

Резистор R1 является ограничивающим и служит для регулирования порога срабатывания тепловой защиты в диапазоне температур корпуса микросхемы от 65 до 130 °С. Среднее значение сопротивления резистора R1 рассчитывается по формуле:

Ri = 1кОм

к Экорп - 6,65

1 - 0,42 к 8;

корп

где коэффициент к = 0,037 1/°С,

вкорп - температура корпуса, при которой необходимо срабатываниетепловойзащиты.

Значение температуры Экорп выбирается с учетом поля разброса, приведенного на рис. 2.26, и допустимой рассеиваемой мощности.

Схема включения микросхемы с внутренней схемой защиты от перегрузок по току приведена на рис. 2.27.

Ограничивающий резистор R2 рассчитывается по формуле:

R2 =

М - N - 0,023(Ubx - Пвых)

где М = 1,25 В и N = 0,5 Ом-Inop - величины, определяемые параметрами микросхемы;

- пороговый выходной ток, при котором

1,25 jpacmax

Inop -

Ubx - и Inop S 1вых.пред

вх и вых срабатывает схема защиты;