Обновления
Хрущовки
Архитектура Румынии
Венецианское Биеннале
Столица Грац
Дом над водопадом
Защита зданий от атмосферных осадков
Краковские тенденции
Легендарный город Севастополь
Новый Париж Миттерана
Парадоксы Советской архитектуры
Реконструкция города Фрунзе
Реконструкция столицы Узбекистана
Софиевка - природа и искусство
Строительство по американски
Строительтво в Чикаго
Тектоника здания
Австрийская архитектура
Постмодернизм в Польше
Промышленное строительство
Строительство в Японии
Далее
|
Главная -> Источники электропитния где иэБУТ2 и иэБУТ! - напряжения эмиттер-база транзисторов VT2 и VT1 соответственно; PvTi и PvT2 - статические коэффициенты усиления транзисторов VT1 и VT2 соответственно. Необходимо учитывать, что Iper 2 мА. Ограничиваюп];ий резистор R4 выбирается с учетом того, что транзистор VT2 не должен переходить в область насыщения при токе нги-рузки Хвыхшах: г, J Цвхгтп - (U3KVT2nun + UsEVTl) lKVT2max где U3KVT2min - минимальнос напряжение эмиттер-коллектор транзистора VT2, при котором он работает в активной области; 1кУТ2тах - максимальный ток транзистора VT2 при токе нагрузки Хвыхтах. Напряжение Uvdi стабилитрона VD1 находится в пределах: 4 В :S UvDi 7 В. При оценке сопротивлений резисторов R7 и R8 следует учитывать, что минимальное выходное напряжение стабилизатора равно допустимо минимальному входному напряжению микросхемы. Максимальное выходное напряжение стабилизатора равно допустимо максимальному входному напряжению микросхемы. Схема стабилизатора с р-п-р транзистором и защитой по току приведена на рис. 2.14. Сопротивление резистора R3 выбирается в пределах от 47 до 100 Ом. Схема используется обычно при увеличении тока нагрузки Хвыхтах до 0,5 А. fczH иган! И2ЕН2 С1 0,1 С2 10 Рис. 2.14. Схема стабилизатора с умощнением р-п-р транзистором и защитой по току Схема включения микросхемы с использованием внутренней защиты по току показана на рис. 2.15. M2£Ht Рис. 2.15. Схема включения микросхемы с использованием внутренней защиты по току Сопротивления резисторов R1, R2, R3 определяются выражениями: R1 =R2 locT R3 иэБм R2 = R3 = Usbix + иэБм . -i;- Ubmx Хост [1 + (Пвых/иэБм)] - Inop где Пвых - выходное напряжение; locT - остаточный ток на выходе микросхемы при коротком замыкании нагрузки; locT ~ 1пот InoT - ток потребления микросхемы в соответствии с техническими условиями на нее; иэБм - параметр микросхемы, равный 0,65 В; Inop - пороговое значение тока в нагрузке, превышение которого приводит к срабатыванию защиты от короткого зад1ыкания; 1д - ток делителя R1, R2, рекомендуемое значение которого составляет примерно 0,001 А. Значения величин Ubux, Inop, Ррас и Ubx задаются в исходных данных на разработку стабилизатора напряжения. При расчете режимов работы компонентов схемы необходимо учитывать, что параметр микросхемы иэБм изменяет свое значение на 2 мВ при из- менении температуры кристалла на 1 °С (при повыпгении температуры параметр Usbm уменьшается, при понижении температуры параметр увеличивается). Стабилизатор с включенной схемой защиты от короткого замыкания нагрузки показан на рис. 2.16.
u2eh1 I42EH2 С1 0,1 Рис. 2.16. Схема стабилизатора с включенной схемой защиты от коротких замыканий нагрузки Сопротивление резистора R2 определяется зависимостью R2 = Пвых / 1д, где 1д = 1 мА. Сопротивление резистора R3 выбирают из условия, что ток в выходной цепи микросхемы Хкз при коротком замыкании нагрузки не превышает заданного значения. В то же время резистор R3 должен обеспечить получение значения тока Inop, превышение которого приведет к срабатыванию защиты от короткого замыкания. При расчете тока Хкз необходимо выполнение условия: (1кЗ + 1пот)ивх S Ррас.пред, где Ррас.пред - предсльно допустимая рассеиваемая мощность при заданных условиях. При проведении расчетов должны учитываться зависимости, приведенные на рис. 2.17...2.20. Схема с подключением внешнего транзистора для увеличения выходного тока и с включенной схемой защиты от коротких замыканий нагрузки приведена на рис. 2.21. Сопротивление резистора R2 в этой схеме выбирают из условия: R2 = Пвых / Хд = Пвых / 1 мА.
|