где иэБУТ2 и иэБУТ! - напряжения эмиттер-база транзисторов VT2 и VT1 соответственно;

PvTi и PvT2 - статические коэффициенты усиления транзисторов VT1 и VT2 соответственно.

Необходимо учитывать, что Iper 2 мА. Ограничиваюп];ий резистор R4 выбирается с учетом того, что транзистор VT2 не должен переходить в область насыщения при токе нги-рузки Хвыхшах:

г, J Цвхгтп - (U3KVT2nun + UsEVTl) lKVT2max

где U3KVT2min - минимальнос напряжение эмиттер-коллектор

транзистора VT2, при котором он работает в активной области; 1кУТ2тах - максимальный ток транзистора VT2 при токе

нагрузки Хвыхтах.

Напряжение Uvdi стабилитрона VD1 находится в пределах:

4 В :S UvDi 7 В.

При оценке сопротивлений резисторов R7 и R8 следует учитывать, что минимальное выходное напряжение стабилизатора равно допустимо минимальному входному напряжению микросхемы. Максимальное выходное напряжение стабилизатора равно допустимо максимальному входному напряжению микросхемы.

Схема стабилизатора с р-п-р транзистором и защитой по току приведена на рис. 2.14. Сопротивление резистора R3 выбирается в пределах от 47 до 100 Ом. Схема используется обычно при увеличении тока нагрузки Хвыхтах до 0,5 А.

fczH

иган!

И2ЕН2

С1 0,1

С2 10

Рис. 2.14. Схема стабилизатора с умощнением р-п-р транзистором и защитой по току

Схема включения микросхемы с использованием внутренней защиты по току показана на рис. 2.15.

M2£Ht

Рис. 2.15. Схема включения микросхемы с использованием внутренней защиты по току

Сопротивления резисторов R1, R2, R3 определяются выражениями:

R1 =R2

locT R3

иэБм

R2 =

R3 =

Usbix + иэБм .

-i;-

Ubmx

Хост [1 + (Пвых/иэБм)] - Inop

где Пвых - выходное напряжение;

locT - остаточный ток на выходе микросхемы при коротком замыкании нагрузки;

locT ~ 1пот

InoT - ток потребления микросхемы в соответствии

с техническими условиями на нее;

иэБм - параметр микросхемы, равный 0,65 В;

Inop - пороговое значение тока в нагрузке, превышение

которого приводит к срабатыванию защиты от короткого зад1ыкания;

1д - ток делителя R1, R2, рекомендуемое значение

которого составляет примерно 0,001 А.

Значения величин Ubux, Inop, Ррас и Ubx задаются в исходных данных на разработку стабилизатора напряжения. При расчете режимов работы компонентов схемы необходимо учитывать, что параметр микросхемы иэБм изменяет свое значение на 2 мВ при из-

менении температуры кристалла на 1 °С (при повыпгении температуры параметр Usbm уменьшается, при понижении температуры параметр увеличивается).

Стабилизатор с включенной схемой защиты от короткого замыкания нагрузки показан на рис. 2.16.

u2eh1 I42EH2

С1 0,1

Рис. 2.16. Схема стабилизатора с включенной схемой защиты от коротких замыканий нагрузки

Сопротивление резистора R2 определяется зависимостью

R2 = Пвых / 1д,

где 1д = 1 мА.

Сопротивление резистора R3 выбирают из условия, что ток в выходной цепи микросхемы Хкз при коротком замыкании нагрузки не превышает заданного значения. В то же время резистор R3 должен обеспечить получение значения тока Inop, превышение которого приведет к срабатыванию защиты от короткого замыкания.

При расчете тока Хкз необходимо выполнение условия:

(1кЗ + 1пот)ивх S Ррас.пред,

где Ррас.пред - предсльно допустимая рассеиваемая мощность при заданных условиях.

При проведении расчетов должны учитываться зависимости, приведенные на рис. 2.17...2.20.

Схема с подключением внешнего транзистора для увеличения выходного тока и с включенной схемой защиты от коротких замыканий нагрузки приведена на рис. 2.21. Сопротивление резистора R2 в этой схеме выбирают из условия:

R2 = Пвых / Хд = Пвых / 1 мА.