Обновления
Хрущовки
Архитектура Румынии
Венецианское Биеннале
Столица Грац
Дом над водопадом
Защита зданий от атмосферных осадков
Краковские тенденции
Легендарный город Севастополь
Новый Париж Миттерана
Парадоксы Советской архитектуры
Реконструкция города Фрунзе
Реконструкция столицы Узбекистана
Софиевка - природа и искусство
Строительство по американски
Строительтво в Чикаго
Тектоника здания
Австрийская архитектура
Постмодернизм в Польше
Промышленное строительство
Строительство в Японии
Далее
|
Главная -> Источники электропитния ся ток через стабилитрон VD1, ток базы и ток коллектора транзистора VT1, причем изменения тока нагрузки и тока коллектора транзистора VT1 имеют разные знаки. Разность напряжений Ubx и Ubux выделяется на гасящем балластном резисторе R3, через который проходит суммарный ток 1кз: где Ikvti Inorp 1дел Ir3 = Ikvti + Inorp + 1дел + 1вых, ток коллектора транзистора; ток, потребляемый интегральным стабилизатором; ток делителя выходного напряжения; ток нагрузки. 142ЕН1 r5 3,3k i- -i hit Рис. 2.12. Схема параллельного стабилизатора напряжения В параллельном стабилизаторе напряжения должны выполняться условия: ГкЗ Кз Ррасдоп iKVTlmax Ubux рао.доп где Ррасдоп - допустимая МОЩНОСТЬ рассеивания резистора R3 и транзистора VT1; iKVTimax - ТОК коллектора транзистора VT1 при токе нагрузки 1вых = 0. Сопротивление резистора R2 определяется формулой: Ubx min - UvDl - UaB R2 = (labixmax/Pmin) + Uafi/Rl где Uaxmin - минимальное входное напряжение стабилизатора; UvDi - напряжение стабилизации стабилитрона VD1; иэБ - напряжение эмиттер-база транзистора VT1; 1выхтах - максимальный ТОК нагрузки; Pmin - минимальное значение статического коэффициента усиления транзистора VT1. Резистор R1 определяется с учетом того, что при максимальном токе нагрузки коллекторный ток транзистора VT1 имеет минимальное значение 1кпип: R1 = IvDlrain Pmin - iKmin Для микросхемы 142ЕН1А,Б напряжение стабилизации стабилитрона VD1 выбирается в пределах 4 В <UvDi + Пав й 12 В, для микросхемы 142ЕН2А,Б - в пределах 4 В < UvDi + ПэБ < 37 В. Сопротивления резисторов R5, R6, R7 делителя выходного напряжения выбираются из условия: UBbixmin = UvDl + УэБ + Uonmin. Тогда (R5 + R6 + R7)min ивыхтш где Хд - ток выходного делителя. При любых значениях напряжения Uon ток делителя Хд > 1,5 мА. Максимальное выходное напряжение Пвыхтах Нвыхтах = Ubx Ur3 = Ubx R3(XKVTlmin + Хвыхтах + 1д + 1потр), где Ur3 - падение напряжения на резисторе R3. Максимальное значение резисторов R5 и R6: /DK , т>а\ Usbixmax ~ Uonmin (JtVO + rCDJmax - -j- Ubx-R3(X выхшах + iKVTlmin + 1д + 1потр) ~ Uonmin (КО -I- Kbjmax =-Z--- Схема стабилизатора с выходным напряжением отрицательной полярности приведена на рис. 2.13, где интегральный стабилизатор включен параллельно нагрузке. R1 910 U2EH1 1,2к R7 4,711 Рис. 2.13. Схема стабилизатора с выходным напряжением отрицательной полярности Динамическое сопротивление транзистора VT1 изменяется при изменении тока нагрузки. Резистор R2 является нагрузкой регулирующего элемента микросхемы, который работает в режиме усиления. Работает схема на рис. 2.13 следующим образом. При изменении тока нагрузки происходит изменение выходного напряжения, которое через делитель R6, R7, R8 передается на вывод 12 обратной связи микросхемы, усиливается и изменяет падение напряжения на резисторе R2. Транзистор VT2 усиливает изменение напряжения на резисторе R2 и передает в базовую цепь транзистора VT1. Ток транзистора VT1 изменяется таким образом, что компенсирует изменение напряжения на нагрузке. Резистор R1 определяет рабочий ток через стабилитрон VD1: R1 = Usxmin - UvDl -, IvDlmin + Ipermax где UvDi - напряжение стабилитрона VDl; Iper max - максимальный ТОК регулирующего элемента микросхемы при токе нагрузки Хвы max- Значения Ipermax, R2 И R3 находятся из выражения: - ЦэБУтг , Ipermax - ПэБУТ! I вых PvTi PvT2
|