AUi = ке k-i II Rl = 1,28 1,18 5,5 0,025 = 0,207 B,

AU2 = AU3 = ke k-2 I2 R2 = 1,28 1,35 20 0,0018 = 0,062 B,

AU4 = ke k-4 I4 R4 = 1,28 1,04 0,5 0,0853 = 0,0568 B.

в процентном выражении:

AUi(%) = (AUi / Ui) 100 = (0,207 / 24,3)100 = 0,85%,

AU2(%) = AU3(%) = (AU2 / U2) 100 = (0,062 / 6)100 = 1,03%,

AU4(%) = (AU4 / U4) 100 = (0,0568 / 12,2)100 = 0,46%.

Определяем приведенные падения напряжения AUi-2(%) (на обмотках 1 и 2), AUi-8(%) (на обмотках 1 и 3) и AUi-4(%) (на обмотках 1 и 4).

AUi-2(%) = AUi-3(%) = AUi(%) + AU2(%) = 0,85 -Ы,03 = 1,88%,

AUi-4(%) = AUi(%) + AU4(%) = 0,785 + 0,46 = 1,31%.

Полученные значения AUi-2(%), AUi-3(%) и AUi-4(%) меньше принятых в п. 9 значений падений напряжения (4 и 2% соответственно). Следовательно, принятые значения падений напряжения и количество витков не требуют уточнения.

17. Проверяем необходимость учета индуктивности рассеивания

bl-2 +

bl -н Ьг -I- bi-2 . где кк = 1--

\1о - магнитная постоянная;

h - толщина стержня магнитопровода;

Wi - число витков первичной обмотки;

Lop - средняя длина витка обмоток 1 и 2;

bl - толщина обмотки, i = 1, 2;

bi-2 - расстояние между обмотками 1 и 2.

в рассматриваемой конструкции трансформатора

кк = 1; Цо = 4л 10-; h = 4 мм; Wi = 19,5; Lcp = 4,3 см; bi-2 = 0,012 см; bl + b2 = 0,4 см.

Таким образом

47С- Ю-. .,2. о,п п.оМч

Ls = 1 - (19,5)4,3(0,012 + ) = 0,75 10 ® Гн.

Отсюда индуктивное сопротивление

(oLs = 2л f Ls = 271 50000 0,75 10~® = 0,23 Ом. Приведенное сопротивление нагрузки

Rh = и! / Р2 = (24,3) / 126,1 = 4,68 Ом.

Так как Rh toLs, то влиянием индуктивности рассеивания можно пренебречь.

Мгигнитопровод с обмотками помещается в корпус из АГ-4В (рис. 5.31) и заливается кремнийорганическим клеем-герметиком.

+ + + +

мг,5

Рис. 5.31. Корпус трансформатора

5.7. Дроссели

При частоте переменного тока до 5 кГц дроссели сглаживающих фильтров обычно выполняются с магнитопроводом из трансформаторной стали (например, марки 3423 толщиной 0,08 мм). При частоте переменного тока более 20 кГц дроссели выполняются на Ш-образных, броневых и кольцевых магнитопроводах из феррита, пермаллоя, альсифера. Для выбора конфигурации магнитопровода можно воспользоваться следующими рекомендациями [19]:

для дросселей, работающих без подмагничивания или с подмаг-ничиванием, но с малым накоплением магнитной энергии, предпочтителен кольцевой магнитопровод из-за отсутствия зазора;

для дросселей с подмагничиванием при необходимости накопления магнитной энергии броневой магнитопровод лучше кольцевого благодаря возможности создания зазора;

увеличение мощности в кольцевых и прямоугольных магнитопроводах может быть достигнуто сложением нескольких магнитопроводов с целью увеличения поперечного сечения;

магнитопровод типа Б является хорошим магнитным экраном для обмотки, находящейся внутри него, поскольку максимальное значение индукции достигается лишь в центральном сечении, а в остальной части магнитопровода она мала. При этом магнитные параметры (в первую очередь, магнитная проницаемость) достаточно высоки, поскольку магнитопровод типа Б имеет большой запас по объему магнитного материала.

в источниках электропитания широкое применение находят дроссели типа Д13 (табл. 5.21), рассчитанные на диапазон частот (0,05...200) кГц и рабочую температуру от минус 60 до +85 °С.

Они имеют корпусное и бескорпусное исполнения. В табл 5.21 и на рис. 5.32 указаны размеры для корпусного исполнения. Дроссели в бескорпусном исполнении предназначены для применения в составе герметизированных модулей. Индуктивность дросселя Lf зависит от частоты f и определяется из выражения:

Lf = к Lioo,

где Lioo - индуктивность при частоте 100 кГц, приведенная в колонке 5 табл. 5.21;

к - коэффициент, зависимость которого от частоты приведена в табл. 5.22.