* Значение статического коэффициента передачи тока.

В статическом режиме максимально допустимая мощность Рсттах, рассеиваемая транзистором, определяется зависимостью:

Рсттах ~ (Ткртах ~ Ткорп) / Rt.ct,

где Ткртах - максимальная температура кристалла; Ткорп - температура корпуса транзистора; Rt.ct - тепловое сопротивление в статическом режиме.

С другой стороны, максимально допустимая мощность

Рсттах ~ Icmax RcHotkp,

где RcHoTKp - сопротивление цепи сток-исток в открытом состоянии транзистора.

Из приведенных зависимостей определяется тепловое сопротивление в статическом режиме:

Ткртах ~ Ткорп ACmax СИоткр

При импульсном режиме, в отличие от статического, необходимо учитывать инерционность тепловых процессов. В связи с этим температура кристалла транзистора, работающего в импульсном режиме, зависит как от среднего значения подводимой к прибору мощности, так и от частоты импульсной последовательности. При расчетах тепловых и электрических режимов устройств с мощным транзистором пользуются понятием динамического (импульсного) теплового сопротивления Кт.имп. Для статического и импульсного теплового сопротивлений одного и того же транзистора должно выполняться условие

Кт.имп Rt.CT

Максимально допустимая импульсная мощность, рассеиваемая прибором,

Римлтах - 1симп ПсИимп = (Ткртахимп ~ Ткорп) / Кт.имп, (5.1)

где Ткртахимп - максимальная температура кристалла в динамическом режиме.

На рис. 5.10 приведены в качестве примера области безопасной работы транзистора КП922 в статическом (характеристика 1) и импульсных (характеристики 2...4) режимах работы. Зависимости определялись при длительности импульса tn = 10 мкс и различных коэффициентах кз заполнения импульсной последовательности. При этом температура корпуса поддерживалась на уровне 25 °С за счет интенсивного воздушного охлаждения радиатора транзистора. Семейство выходных вольт-амперных характеристик и передаточные характеристики в импульсном режиме работы транзистора КП922 приведены на рис. 5.11 и 5.12 соответственно. Крутизна S составила (4...5) А/В при напряжении Пси = (20...60) В. На рис. 5.13 показана зависимость отношения сопротивлений Кг.имп / Кт.ст от длительности импульса ta при различных коэффициентах заполнения кэ (от 0,01 до 1).

С помощью приведенных характеристик и зависимости (5.1) находится максимально допустимая импульсная мощность рассеивания, для различных значений коэффициента заполнения и длительности импульса. Из характеристик следует, что область безопас-

Рис. 5.10. Области безопасной работы транзистора КП922 при коэффициентах заполнения кз = 0,5 (характеристика 2), кз = 0,1 (характеристика 3), кз = 0,01 (характеристика 4)

Рис. 5.11. Выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора в импульсном режиме

О $ to IS 20

Рис. 5.12. Передаточные характеристики полевого транзистора в импульсном режиме