Главная ->  Источники электропитния 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 [ 106 ] 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132

2П938А

2П938Б

КТ-9

гП938В

0,07

2П938Г

2П938Д

2П942А

2П942Б

КТ-9

2П942В

КП946А

0,15

КТ-28-2

КП946Б

КП948А

КП948Б

0,15

КТ-28-2

КП948В

КП948Г

КП953А

КП953Б

0,06

КТ-43

КП953В

КП953Г

КП954А

0,03

КП954Б

КТ-28-2

КП954В

0,02

КП954Г

КП955А

0,05

КТ-43

КП955Б

0,04

КП956А

КТ-27

КП956Б

КП957А

КТ-27

КП957Б

* Значение статического коэффициента передачи тока.

В статическом режиме максимально допустимая мощность Рсттах, рассеиваемая транзистором, определяется зависимостью:

Рсттах ~ (Ткртах ~ Ткорп) / Rt.ct,

где Ткртах - максимальная температура кристалла; Ткорп - температура корпуса транзистора; Rt.ct - тепловое сопротивление в статическом режиме.

С другой стороны, максимально допустимая мощность

Рсттах ~ Icmax RcHotkp,

где RcHoTKp - сопротивление цепи сток-исток в открытом состоянии транзистора.

Из приведенных зависимостей определяется тепловое сопротивление в статическом режиме:



Ткртах ~ Ткорп ACmax СИоткр

При импульсном режиме, в отличие от статического, необходимо учитывать инерционность тепловых процессов. В связи с этим температура кристалла транзистора, работающего в импульсном режиме, зависит как от среднего значения подводимой к прибору мощности, так и от частоты импульсной последовательности. При расчетах тепловых и электрических режимов устройств с мощным транзистором пользуются понятием динамического (импульсного) теплового сопротивления Кт.имп. Для статического и импульсного теплового сопротивлений одного и того же транзистора должно выполняться условие

Кт.имп Rt.CT

Максимально допустимая импульсная мощность, рассеиваемая прибором,

Римлтах - 1симп ПсИимп = (Ткртахимп ~ Ткорп) / Кт.имп, (5.1)

где Ткртахимп - максимальная температура кристалла в динамическом режиме.

На рис. 5.10 приведены в качестве примера области безопасной работы транзистора КП922 в статическом (характеристика 1) и импульсных (характеристики 2...4) режимах работы. Зависимости определялись при длительности импульса tn = 10 мкс и различных коэффициентах кз заполнения импульсной последовательности. При этом температура корпуса поддерживалась на уровне 25 °С за счет интенсивного воздушного охлаждения радиатора транзистора. Семейство выходных вольт-амперных характеристик и передаточные характеристики в импульсном режиме работы транзистора КП922 приведены на рис. 5.11 и 5.12 соответственно. Крутизна S составила (4...5) А/В при напряжении Пси = (20...60) В. На рис. 5.13 показана зависимость отношения сопротивлений Кг.имп / Кт.ст от длительности импульса ta при различных коэффициентах заполнения кэ (от 0,01 до 1).

С помощью приведенных характеристик и зависимости (5.1) находится максимально допустимая импульсная мощность рассеивания, для различных значений коэффициента заполнения и длительности импульса. Из характеристик следует, что область безопас-




Рис. 5.10. Области безопасной работы транзистора КП922 при коэффициентах заполнения кз = 0,5 (характеристика 2), кз = 0,1 (характеристика 3), кз = 0,01 (характеристика 4)

§\

>-<

Рис. 5.11. Выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора в импульсном режиме

60В J

-20В

О $ to IS 20

Рис. 5.12. Передаточные характеристики полевого транзистора в импульсном режиме



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 [ 106 ] 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132