Обновления
Хрущовки
Архитектура Румынии
Венецианское Биеннале
Столица Грац
Дом над водопадом
Защита зданий от атмосферных осадков
Краковские тенденции
Легендарный город Севастополь
Новый Париж Миттерана
Парадоксы Советской архитектуры
Реконструкция города Фрунзе
Реконструкция столицы Узбекистана
Софиевка - природа и искусство
Строительство по американски
Строительтво в Чикаго
Тектоника здания
Австрийская архитектура
Постмодернизм в Польше
Промышленное строительство
Строительство в Японии
Далее
|
Главная -> Источники электропитния mill Inniil Рис. 5.9. Конструкция корпуса КТ-61А Потери мощности в биполярных транзисторах, работающих в режиме ключа, можно разделить на потери статические и динамические. Статические потери Рст определяются суммой потерь в состояниях насыщения Ряас и отсечки Роте . Рст = Рнас + Роте = 1т.д Кнас + Хвср UsBHac + 1ко Uk3(1 - Y), где 1т.д - действующее значение тока транзистора; 1бср - среднее значение тока базы; Кнас = икэнао / Ikhom - сопротивленис насыщения; икэвас и ивэвас - остаточные напряжения в режиме насыщения в силовой и входной цепях соответственно; 1ко - ток коллектора закрытого транзистора; Пкэ - напряжение на закрытом транзисторе; у = tn / Т - коэффициент заполнения; ta - длительность импульса. Потери мощности динамические определяются зависимостью: Рдин ~ Ри.вкл tвкл / Т + Ри.выкл tвыкл / Т, где Ри.вкл и Ри.выкл - импульсная (пиковая) мощность В процессе включения и выключения транзистора соответственно; Т - период коммутации транзистора; tвкл и 1выкл - эквивалентное время рассеивания мощности в процессе включения и выключения соответственно. 5.1.2. Полевые транзисторы Полевые транзисторы характеризуются семейством выходных вольт-амперных характеристик, т.е. зависимостью тока стока 1с от напряжений сток-исток Пси и затвор-исток Uan- Для малых приращений тока стока справедлива зависимость: die = Э1с Эизи dU3H + Э1с Эиси ducH = Sdu3H + где параметр S = Э1с/Эизи = Aic/Аизи - крутизна; Rbh = Эиси/Э1с ~ Auch/AIc - внутреннео сопротивление транзистора. Эти параметры зависят от постоянной составляющей тока стока, т. е. от положения рабочей точки на вольт-амперной характеристике. Транзисторы с большими допустимыми токами стока имеют высокие значения крутизны S, так как площадь затвора при этом достаточно велика и транзистор хорошо управляем. Область безопасной работы полевого транзистора определяется его предельными параметрами [48]: максимально допустимым рабочим током стока; напряжением пробоя сток-исток; максимальной рассеиваемой мощностью. В табл. 5.3 помещены основные параметры полевых транзисторов, используемых в источниках электропитания в режиме переключения. В этом режиме рассеиваемая транзистором мощность определяется потерями на сопротивлении в открытом состоянии, потерями при переключении, потерями в цепи затвора. Последний вид потерь существенно меньше по сравнению с потерями на сопротивлении в открытом состоянии. Таким образом, сопротивление полевого транзистора в открытом состоянии является определяющим при оценке потерь. Таблица 5.3. Параметры полевых переключательных транзисторов с рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт
|