Рис. 5.3. Зависимость потерь в базовой цепи транзистора в режиме оптимального насыщения
РТнас = min [ РБЭнас.опт = ОБЗиасопт = 1к / h; Ьопт = (1к / 1Б)Ртнас = min ]
Основные характеристики биполярных транзисторов, наиболее часто применяемых в ИЭП, приведены в табл. 5.2.
Таблица 5.2. Транзисторы биполярные переключательные с рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт
2Т506А
п-р-п
аАО 339.318 ту
2(5)
800 (0,6)
30-150 (5Б, 0,33)
2,5 Р
2Т506Б
п-р-п
аА0.339.318ТУ
2(5)
600 (0,6)
30-150 (5Б, 0,ЗЭ)
3,5 Р
2T812A
п-р-п
аАО.339 193 ТУ
10(17)
700 (2,5)
(650)
5-30 (ЗЭ, 8 К)
1,ЗС
2Т812Б
п-р-п
аА0.339.193ТУ
10(17)
500 (2,5)
(650)
5-30 (ЗЭ, 8 К)
1,ЗС
2T818A
р-п-р
аАО 339 141 ТУ
15(20)
100(1)
100 (80)
20 (55, 5К)
2,5 Ы
2Т818Б
р-п-р
аАО.339.141 ТУ
15(20)
80 (1)
80 (60)
20 (5Б, 5К)
2,5 Ы
2T818B
р-п-р
аАО.339 141 ТУ
15(20)
60 (1)
60 (40)
20 (56, 5К)
2,5 Ы
2T819A
п-р-п
аАО.339 142 ТУ
15(20)
100 (1)
100 (80)
20 (55, 5К)
2,5 Ы
2Т819Б
п-р-п
аАО.339.142 ТУ
15(20)
80(1)
80 (60)
20 (55, 5К)
2,5 Ы
2T819B
п-р-п
аАО.339 142 ТУ
15(20)
60 (1)
60 (40)
20 (55, 5К)
2,5 Ы
2T827A
п-р-п
аА0.339.119ТУ
20 (40)
100 (2)
100(100)
750-18000 (ЗЭ, 10К)
4,5 Р
2Т827Б
п-р-п
аАО 339 119 ТУ
20 (40)
80(2)
80 (80)
750-18000 (ЗЭ, 10К)
4,5 Р
2T827B
п-р-п
аАО.339 119 ТУ
20 (40)
60 (2)
60 (60)
750-18000 (ЗЭ, 10К)
4,5 Р
2T830A
р-п-р
аАО 339 139 ТУ
2(4)
30 (0,6)
35 (25)
25-55(1 Б, 1Э)
0,8 В
2Т830Б
р-п-р
аАО.339 139 ТУ
2(4)
50 (0,6)
60 (45)
25-55 (1Б, 1Э)
0,8 В
2T830B
р-п-р
аАО.339.139 ТУ
2(4)
70 (0,6)
80 (60)
25-55 (15, 1Э)
0,8 В
2Т830Г
р-п-р
аАО 339 139 ТУ
2(4)
90 (0,6)
100 (80)
20-50(15, 1Э)
0,8 В
2T831A
п-р-п
аАО 339.140 ТУ
2(4)
30 (0,6)
35 (25)
25-200(15, 1Э)
0,8 В
2Т831Б
п-р-п
аАО 339 140 ТУ
2(4)
50 (0,6)
60 (45)
25-200(15, 1Э)
0,8 В
2T831B
п-р-п
аАО.339.140 ТУ
2(4)
70 (0,6)
80 (60)
25-200(15, 1Э)
0,8 В
2Т831Г
п-р-п
аАО.339.140ТУ
2(4)
90 (0,6)
100(80)
20-150(15, 1Э)
0,8 В
2T841A
п-р-п
аАО.339.267 ТУ
10(15)
600 (1,5)
600 (350)
12-45 (55, 5Э)
1,2 Р
2Т841Б
п-р-п
аАО.339.267 ТУ
10(15)
400 (1,5)
400 (250)
12-45 (5Б, 5Э)
1,2Р
Продолжение табп 5 2
2Т841В
п-р-п
аАО 339.267 ТУ
10(15)
800 (1,5)
800 (400)
(10)
2,5 Р
2Т847А
п-р-п
аАО.339 361 ТУ
15(25)
650 (1,5)
(360)
8-25 (ЗЭ, 15К)
0,8 С
2Т847Б
п-р-п
аАО.339.361 ТУ
16(25)
650 (1,5)
(400)
8(ЗЭ, 15К)
2Т848А
п-р-п
аАО.339 512 ТУ
400 (2)
(400)
20 (5Э, 15К)
2Т856А
п-р-п
аАО 339.383 ТУ
10(12)
950 (1,5)
1000 (450)
10-30 (53, 5К)
2Т856Б
п-р-п
аАО 339 383 ТУ
10(12)
750 (1,5)
800 (400) J
10-60 (5Э, 5К)
2Т862А
п-р-п
аА0.339.417ТУ
15(30)
250 (2)
450 (250)
10-100 (53, 15К)
2Т8626
п-р-п
аАО.339 417 ТУ
15(25)
250 (2)
450 (250)
10-100(53, 15К)
2Т862В
п-р-п
аАО 339 417 ТУ
10(15)
350(1,5)
600 (350)
12-50(53, 5К)
2Т862Г
п-р-п
аАО.339 417 ТУ
10(15)
400(1,5)
600 (400)
12-50 (53, 5К)
2Т866А
п-р-п
аАО 339 431 ТУ
20 (20)
160 (1,5)
200 (100)
15-100 (10Б, ЮЭИ)
0,1 С
2Т867А
п-р-п
аАО.339 439 ТУ
25 (40)
300(1,2)
(200)
12-100 (5Э, 20КИ)
1,3 Р
2Г878А
п-р-п
аАО,339,574ТУ
25 (30)
800 (1,5)
800 (400)
12-50 (53,10К)
2,6 Р
2Т878Б
п-р-п
аА0.339.574ТУ
25 (30)
800(1,5)
600 (300)
12-50 (53, 10К)
2,5 Р
2Т878В
п-р-п
аАО.339 574 ТУ
25 (30)
600 (1,5)
600 (450)
12-50 (53, 10К)
2,5 Р
2Т885А
п-р-п
аАО.339 724 ТУ
40 (60)
400 (2,2)
400
12(53, 20К)
2Т885Б
п-р-п
аАО.339 724 ТУ
40 (60)
500 (2,5)
12(53, 20К)
2Т887А
р-п-р
аАО.339.781 ТУ
2(5)
700 (1,4)
700 (600)
20-120 (9Б, 13)
(0,7-5) Р
2Т887Б
р-п-р
ЗАО 339 781 ТУ
2(5)
600 (1,4)
600 (500)
20-120 (9Б, 13)
(0,7-5) Р
2Т888А
р-п-р
аАО.339.782 ТУ
0,1 (0,2)
900 (1)
900 (800)
30-120 (ЗК; 0,023)
1,5 Р
2Т888Б
р-п-р
аАО 339.782 ТУ
0,1 (0,2)
600 (1)
600 (600)
30-120 (ЗК, 0,023)
1.5 Р
2Т892А
п-р-п
АЕЯР432140.102ТУ
15(30)
400 (1,8)
400 (400)
300 (103, 5К)
2Т892Б
п-р-п
АЕЯР.432140.102ТУ
15(30)
350 (1,8)
350 (350)
300 (103, 5К)
1 - тип транзистора;
2 - тип проводимости;
3 - технические условия;
4 - максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора, А, не более;
5 - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (напряжение насыщения коллектор-эмиттер)/макси-мально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер (напряжение насыщения коллектор-эмиттер)/. В, не более;
6 - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база (граничное напряжение). В, не более;
7 - статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (при напряжении: Б - коллектор-база, Э - коллектор-эмиттер, В и токе К-коллектора, Б-базы, Э-эмиттера, А), не менее;
8 - время: Р - рассасывания, В - включения, Ы - выключения, С - спада импульса, мкс, не более.
Область безопасной работы дается в технических условиях на транзисторы обычно при температуре корпуса 8к1 (рис. 5.4), соответствующей максимальной мощности рассеив£1ния. При дальнейшем
повышении температуры корпуса допустимая максимальная мощность рассеивания Ртах определяется зависимостью
Ртах = (вп - Qki) / Квц-к,
где вп - допустимая температура перехода транзисторной структуры;
Qki - температура корпуса; i=l, 2.....п;
Reij - тепловое сопротивление переход-корпус.
1
е., % е.. С
Рис. 5.4. Зависимость постоянной рассеиваемой мощности от температуры
При температуре корпуса вг или 9з допустимая мощность рассеивания снижается (рис. 5.4) и отрезок 2 смещается (рис. 5.5). Температура корпуса оказывает незначительное влияние на положение отрезка 3. Отрезки 1 и 4 приводятся в технических условиях на транзисторы для всего диапазона рабочих температур. С увеличением температуры корпуса положение отрезка 5 изменяется, перемещая границу допустимого напряжения Пкэо.гр в сторону меньших значений (рис. 5.5),
При импульсном режиме по сравнению со статическим, а также с уменьшением длительности импульса границы области безопасных режимов смещаются в сторону увеличения значений тока и напряжения. На рис. 5.1 показаны пунктиром смещения отрезков 2...5 для различных значений длительности импульсов
Обновления