I 18

t 18 +

18 II

+ II

- t- -a

4. ОСНОВЫ СХЕМОТЕХНИКИ УЭА

4.1. ОБЩИЕ ВОПРОСЫ 4.1.1. Обзор

В настоящее время в отечественной и зарубежной литературе описано большое количество различных схем УЭА, отличающихся назначением, типом УЭ, электрическими показателями и т. д. Анализ ряда схем пассивных УЭА, показанных на рис. 4.1-4.10, дает возможность обобщить некоторые основные схемотехнические решения, используемые при проектировании УЭА.

Эти решения различны как для основных цепей УЭА - сигнала и управления, так и для цепей питания и вспомогательных. Схемотехнические решения также различны в зависимости от назначения УЭА, диапазона частот, типа УЭА, структурной схемы УЭА, электрических показателей, а также от предъявляемых к УЭА дополнительных требований, связанных с необходимостью обеспечить малые собственные шумы, малые нелинейные искажения и т. д.

Для удобства анализа приведенные схемы разделены по типу УЭ: на р-п диодах (рис. 4.1-4.4); р-i-п диодах (рис. 4.5-4.7); полевых транзисторах (рис. 4.8); варикапах (рис. 4.9) и фоторезисторных оптронах (рис. 4.10).

Большинство представленных схем УЭА - практические, используемые для конкретных целей. Приведем краткие сведения об этих схемах.

4.1.2. УЭА на р - п диодах

УЭА, приведенные на рис. 4.1, а, б, используются в системе многоканальной связи для управления динамическим диапазоном с целью увеличить отношение сигнал/шум, при этом УЭА, представленный на рис. 4.1, а, используется в качестве компрессора, а УЭА, показанный на рис. 4.1, б,- в качестве экспандера. Применение таких УЭА дает возможность изменять динамический ди-

,&JOT ,-1-L

I дт 3500 <

-±

[ci R1

10.0 2k JI X

ДЗ R3

l-DW

~ Т -ко

1 -f

D2Z=.-=ZC3 I

. J L Рис. 4.2.

I R5

R7 1 .г

trfc

апазон звуковых сигналов, поступающих на вход несущей, на 30 дБ (с 60 до 30 дБ). На схеме рис. 4.1, а показано одно из регулируемых

I Cf Д1

й2 С2\

{>Ы1

R2 1

i,70 Мт

СЗ- 0,01

I---- I

- Д10 ДН - Д20

i>i-г-Н<Ь-кь-

Рас. 4.3.

звеньев УЭА, применяемого в системе АРУ. При использовании двух звеньев подобного типа обеспечивается глубина регулировки порядка 30-40 дБ.

На рис. 4.3, б показана часть схемы антенного УЭА, предназначенного для системы АРУ магистрального рано

диоприемника. УЭА обеспечивает изменение затухания в пределах 40 дБ, при этом входной и выходной нмпедансы во всем диапазоне регулирования остаются постоянными в пределах 200 Ом±30%-

Д R1

дз L сб

Рис. 4.4.

Схемы УЭА, приведенные на рис. 4.2, а, б, в, 4.3, а, 4.4, используются в различных системах АРУ. Никаких дополнительных сведений об этих УЭА в литературных источниках не сообщается.

4.1.3. УЭА на p - i - n диодах

УЭА, приведенный на рис. 4.5, а, предназначен для работы в диапазоне СВЧ и обеспечивает изменение затухания в пределах 0,3-30 дБ, при этом сохраняется неизменной величина входного импеданса (75 Ом), а коэффициент стоячей волны изменяется в пределах 1,1-1.

УЭА, показанный на рис. 4.5, б, обеспечивает на ча-: