Обновления
Хрущовки
Архитектура Румынии
Венецианское Биеннале
Столица Грац
Дом над водопадом
Защита зданий от атмосферных осадков
Краковские тенденции
Легендарный город Севастополь
Новый Париж Миттерана
Парадоксы Советской архитектуры
Реконструкция города Фрунзе
Реконструкция столицы Узбекистана
Софиевка - природа и искусство
Строительство по американски
Строительтво в Чикаго
Тектоника здания
Австрийская архитектура
Постмодернизм в Польше
Промышленное строительство
Строительство в Японии
Далее
|
Главная -> Управляемый электронный аттенюатор тельной ветви, что способствует уменьшению НИ в тракте УЭА. Из соотношения (2.41) получаем также, что ka максимален при малых Ki2 и при /Ci2< 1 от его величины практически не зависит, при этом ЛгЗтах - J2 yUmaux- В режиме РРУ откуда для диода Характер зависимости \к т21 от приведен на рис. 2.19, I Аг2тах - jg (2.43) Из сравнения выражений (2.40) и (2.43) следует, что ггшах в параллельном регуляторе, работаюш,ем в режиме РРУ, оказывается в 4 раза меньше, чем в последовательном, причем вид зависимости Аа от /Си (D) для этих вариантов схем существенно отличается. Связь к гз с величиной Кп оказывается сложной: /ггз = (1 - Ки) (2 - гКп) Khul и имеет максимум при/Ci2 = 5/6. 3. НИ в УЭА с несколькими управляемыми резистивнми нелинейными элементами Расчет НИ в схемах сложных УЭА следует осуществлять с использованием методов, изложенных выше в пп. 2.2.1, 2.2.2. Хотя эти расчеты не вызывают принципиальных трудностей, однако они носят частный характер, т. е. относятся к конкретной структуре УЭА и характеристикам используемых нелинейных компонентов. В некоторых случаях расчеты можно упростить, получив предварительно ряд универсальных характеристик, пригодных для расчетов устройств определенного класса. Покажем это на примере класса УЭА с неизменным входным сопротивлением в диапазоне регулирования /?вх=/?о (см. п. 2.1.2). Допустим, что в рабочем диапазоне частот инерцией элементов УЭА можно пренебречь. Например, как показано в работе [И], коэффициент второго порядка ряда (2.13) можно представить в виде (2.44) где gP -нелинейный параметр второго порядка i-ro нелинейного элемента (см. табл. 2.6); л: ер, - линейный коэф-Гциент передачи от места включения i-vo нелинейного элемента УЭА до его выходных зажимов. Таблица 2.7 Схема Нормированная функция Кр Рг> нелинейности УЭА Рис. 1,6, в Рис. 1.6, г Рис. 1.6, а Рис. 1.6, е Рис. 1.6, и Рис. 1.6. к - = 4-(1-К)3(2-К); = --8 (1-К)М1 + ЗК) . 4 (1 + КГ (1 К)М1-) 16(2 -К) -gv-64 Используя предложенный в работе [Щ способ опре-. Г можно получить универсальные выражения Г2?)ТсГветств7ющие им нормированные харак Йристики коэффициентов (рис. 2.20) для различных эле- ментов ряда типовых структур УЭА (а-для схемы рис. 1.6, в; б - для схемы рис. 1.6, е; в ~ для схемы рис 1 6 г-г -для схемы рис. 1.6,к; d - для схемы рис 16 д-е - для схемы рис. 1.6, и). . \ Ra ° 15 016 0.12 О.Од о 0,2 0.6 О.в 10 К о 0Z Q.t 0,6 0,8 W К е Ъ 0,006 о 0,2 0.f 0.6 0,в 1,0 К О 0,2 0,4 0,6 0,д 1,0 К Рис. 2.20. Анализируя табл. 2.7 или рис. 2.20 с учетом выражения (2.44), можно оперативно оценить поведение коэффициентов нелинейной передаточной характеристики УЭА во всем диапазоне регулирования, определить неблагоприятные с точки зрения НИ области его изменения и требования к нелинейным элементам. Проиллюстрируем вышеупомянутый метод расчета МИ второго порядка на примере Г-образного УЭА с двумя нелинейными элементами в виде диодов (см. рис. 1.6, в), удовлетворяющего условию /?вх = /?о- Параметры G2: В соответствии с функциональной связью F{Vi, V2) =0 табл. 2.1 находим требуемый закон изменения: где i=Ioe . Из соотношения (2.45) можно получить fii 1 (2.45) М2) dh dui Опуская дальнейшие расчеты, приведем окончательное выражение для а): , (2.46) где знаки ± относятся к различным способам включения диодов друг относительно друга, что, естественно, влияет на взаимодействие НИ, обусловленное Gi и Ga, и, следовательно, на выходной эффект. Используя формулы (2.48) и (2.18), можно получить где А - коэффициент, практически близкий к единице (0,5-1). Из последнего выражения следует, что при малых Ki2 ггатах ~ AU gay и не зависит от D. Из сравнения kj. одноэлементных и двухэлементных УЭА следует, что искажения в последних оказываются одного порядка с искажениями в одноэлементных УЭА с параллельным нелинейным резистором (см. рис. 2.17,6). 4. НИ в УЭА на основе полевых транзисторов (ПТ) Рассмотрим НИ в наиболее употребляемых схемах УЭА, использующих регулируемую выходную проводимость ПТ: с одним (рис. 2.21, а) и двумя (рис. 2.21, s) ПТ. Эквивалентные схемы для обоих случаев приведены соответственно на рис. 2.21, б и 2.21, г. Используя метод, изложенный в п. 2.2.1 [11], составим систему уравнений для схемы рис. 2.21,6, введя на ней соответствующие обозначения и выделив из ПТ внутренний транзистор ВТ и сопротивление истока (рис. 2.22): 2+ия = 1; UR=icR; ic = f ( си, з.и), г гТ 0,0-Г Рис. 2.21. откуда подсистема первого порядка: Ки2 + K\cR = 1; Aic - 2il\u2 I подсисте1*{ы высших порядков: KiV + K\R = 0; где Y (P) - CM. в табл. 2.3 (первичные нелинейные параметры берутся из поз. 7 табл. 2.6). Опуская промежуточные расчеты, приведем окончательные выражения ча- стных коэффициентов гармоник для режимов АРУ и РРУ: для РРУ Umi e[i-f2еи(1-)] . AUo [1 + е(1-?)р е [1 + е (1-)]-е[1 + 2ел1-1)? k,2 = Рис. 2.22. (2.47) для АРУ fer2 = 4£/о е[1 + 29и(1-)] [1+6(1-1)1 tLe e [i + 9(i-g)]-e[i + 29 (i-i)p 11+в(1-Е)р (2.48) Величина коэффициента передачи схемы и v тг -пл. 1+6(1-1) Оценим динамический диапазон регулирования: (2.49) и свяжем его с максимальным коэффициентом нелинейных искажений (2.47). Из соотношений (2.47) следует, что максимум искажений при РРУ соответствует = 1п,ах. откуда, используя формулу (2.49), нетрудно получить:
|